山东省自然科学基金(Y2006A18)
- 作品数：9 被引量：19H指数：3
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- 小尺寸金属团簇熔化过程的分子动力学模拟被引量：5
- 2008年
- 运用分子动力学方法模拟了小尺寸金属团簇的熔化过程,原子之间的作用采用嵌入原子法(EAM)模型,计算了均方根键长涨落δ随温度的变化,以及升温过程中团簇热容的变化.包含55、56个原子的面心立方(FCC)结构Au团簇的熔化过程是基本相同的.而同样结构和数目Cu团簇的熔化过程却呈现出不同的趋势.Cu55、Cu56在模拟过程中都出现了FCC结构到二十面体结构的转变.但由于表面多出了一个原子,Cu56的热容曲线比Cu55多了一个峰,体系出现了预熔化现象.这表明小尺寸团簇的固液转变的过程与团簇的原子类型、几何结构和原子数目密切相关.
- 陈莹王秀英赵俊卿
- 关键词：团簇熔化分子动力学模拟
- 利用PtOEP掺杂改善Spiro发光器件的发光效率(英文)
- 2008年
- 为了利用有机三线态发光提高有机发光器件的发光效率,用磷光材料掺杂到聚合物主体中作为发光层,制备有机电致发光器件.在测量器件的电流-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱的基础上,计算了器件的外量子效率,研究了磷光材料的掺杂浓度对器件发光效率的影响.结果表明,对特定的材料体系,适当控制掺杂浓度,可以同时观察到荧光和磷光光谱,使掺杂器件的外量子效率在纯聚合物发光器件的基础上得到明显提高.
- 赵俊卿乔士柱许福运张宁玉庞岩涛陈莹
- 关键词：外量子效率三线态有机发光器件
- 半导体中的自旋注入方法研究
- 2007年
- 自旋电子学的研究是目前凝聚态物理、信息科学及新材料等诸多领域共同关注的热点,相关的自旋电子器件在信息产业中具有非常诱人的应用前景。自旋注入半导体是实现半导体自旋电子器件最基本的条件,也是目前制约器件开发应用的关键问题。本文以磁性材料/半导体结构的电学注入为主,从半导体中自旋极化的产生、自旋极化源性质、自旋注入原理、半导体材料性质等方面,介绍半导体中的自旋注入方法及其研究进展。
- 赵俊卿刘增良刘乃源
- 关键词：自旋注入半导体自旋电子学肖特基势垒居里温度
- 自旋极化有机电致发光器件中单线态与三线态激子的形成及调控被引量：1
- 2010年
- 由于有机半导体(OSC)材料自旋弛豫时间长、自旋扩散长度大,OSC自旋器件逐渐成为研究热点.对于有机电致发光器件(OLED),通过自旋极化电极调控单线态和三线态激子比率是提高其效率的有效方法.本文从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合朗之万定律建立了一个自旋注入、输运、复合的理论模型.计算了OSC中的极化电子、空穴浓度,得出了单线态和三线态激子的比率.分析了电场强度、自旋相关界面电导、电极和OSC电导率匹配和电极极化率等因素的影响.计算结果表明:两电极注入反向极化的载流子并提高载流子自旋极化率,有利于提高单线态和三线态激子的比率;自旋相关界面电阻、正向电场强度和电极自旋极化率的提高,电极和OSC电导率的匹配,有利于提高注入载流子浓度极化率,进而提高单线态和三线态激子比率和OLED的荧光效率.
- 乔士柱赵俊卿贾振锋张宁玉王凤翔付刚季燕菊
- 关键词：有机电致发光器件载流子复合
- Gaussian相关表面的形貌特征及统计特性的AFM研究
- 2009年
- 用原子力显微镜对Gaussian相关表面形貌进行了测量.根据Gaussian相关表面的形貌特征制作了三个样品表面,通过对样品表而形貌的傅里叶变换,分析了Gaussian相关表面的统计特性.由样品表面形貌的高度数值计算,得到样品表面的方均根粗糙度和高度自相关函数.并用Gaussin函数对高度自相关函数进行拟合,得到样品表面的横向相关长度等统计特征量来定量描述Gaussian相关表面.
- 张宁玉程传福
- 关键词：形貌特征统计特性原子力显微镜
- Spiro发光双层结构有机电致发光器件被引量：1
- 2007年
- 为了研究简单结构有机电致发光器件的发光性能,采用PEDOT∶PSS作为空穴输运层,Spiro作为电子输运层和发光层,以金属Ba覆盖以金属Al作阴极,制备双层结构有机电致发光器件,得到性能稳定的蓝色发光。测量器件的电流密度-电压特性、发光亮度-电压特性和电致发光谱,计算了器件的外量子效率。结果表明,器件电流以陷阱电荷限制电流为主,最大发光亮度为3544cd/m2,最大外量子效率达2.40%。
- 赵俊卿乔士柱许福运张宁玉庞岩涛陈莹
- 关键词：有机电致发光器件亮度外量子效率
- 电场对OLED中自旋极化载流子输运的影响
- 2009年
- 为了明确有机电致发光器件(OLED)双极自旋注入中电场的影响,从漂移扩散方程和载流子浓度连续性方程出发,结合泊松方程得出了注入载流子运动的微分方程,计算了自旋极化载流子浓度和自旋扩散长度的关系,讨论了电场对自旋扩散长度的影响。计算结果表明:电场通过改变自旋扩散长度来影响自旋极化载流子的运动。对电子来说,电场方向和扩散方向相同时,电场增大会导致自旋扩散长度减小,扩散变快,电子深入样品的平均距离小,不利于在有限厚度薄膜中获得高自旋极化率;电场方向和扩散方向相反时,电场越大,自旋扩散长度越大,有利于获得高自旋极化率。对空穴来说,情况正好相反。还讨论了电场对双极自旋极化注入的影响。
- 乔士柱赵俊卿贾振锋庞智勇
- 关键词：OLED自旋注入电场
- 利用有机三线态发光的相关问题研究被引量：5
- 2007年
- 为了提高有机电致发光器件(OLED)的量子效率,对75%的通常认为是无效激发的三线态激子的利用,成为近年来OLED研究中广受关注的课题。磷光材料在发光过程中可以同时利用单线态和三线态激子,理论上内量子效率可以达到100%,因而这类材料的使用成为提高器件效率的主要途径之一。本文介绍了利用有机三线态发光的有关概念、原理,并就磷光材料的物理掺杂,化学嫁接、能量转移和磷光淬灭等问题,阐述了该领域的研究概况。同时指出,尽管三线态发光材料及器件的性能还存在许多问题,但有机材料灵活的可修饰性赋予研究人员广阔的设计空间,高效率的三线态发光OLED器件的开发将大有可为。
- 赵俊卿张宁玉许福运庞岩涛陈莹
- 关键词：有机电致发光器件三线态单线态量子效率
- 磁性隧道结自旋极化电子的隧穿特性被引量：7
- 2008年
- 铁磁金属间通过中间层的自旋极化电子隧穿产生的磁性耦合,在自旋电子器件中有许多潜在的应用.考虑由一平面磁性势垒层隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,针对中间层形成的矩形势垒,在近自由电子模型的基础上,计算零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,分析势垒层特性、分子场强弱、分子场相对取向等对隧道结自旋极化电子隧穿特性的影响.计算结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.
- 赵俊卿乔士柱张宁玉张慧军何鹏
- 关键词：磁性隧道结自旋极化电子隧穿电导
