电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金(KFJJ201110)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
- 相关作者：宏潇许伟义陈后鹏宋志棠李喜更多>>
- 相关机构：中国科学院更多>>
- 发文基金：上海市科学技术委员会资助项目电子薄膜与集成器件国家重点实验室基础研究开放创新基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 大电流负载的片上LDO系统设计被引量：3
- 2013年
- 本文分析了传统大电流负载的LDO(Low-dropout Regulator)系统实现系统稳定性和瞬态响应提高的局限性,在此基础上,提出了一种片内集成的瞬态响应提高技术.此技术无需外挂电容和等效串联电阻(Equivalent SeriesResistor,ESR),即能使系统在全负载范围内保持稳定性和良好的纹波抑制能力.仿真结果表明,系统空载时,静态电流为64μA,且最大能提供800mA的负载电流,1KHz时的电源抑制比达到-60dB,当负载电流以800mA/5μs跳变时,最大下冲电压为400mV,上冲电压为536mV,恢复时间分别只需6.7μs和12.8μs,版图面积约为0.64mm2.
- 胡佳俊陈后鹏宋志棠王倩宏潇李喜许伟义
- 关键词：瞬态响应相位裕度快速响应低压差
- 基于编程电流／电压的相变存储器写驱动电路
- 2013年
- 相变存储器发生相变时各个单元存在差异性,为了改善其写入数据时的可靠性及芯片的成品率,设计了一种可分别用电流和电压脉冲编程的写驱动电路。针对相变存储器SET过程的特性,写驱动电路可有选择地产生电流阶梯波或电压阶梯波。设计采用SMIC 130nm CMOS标准工艺库。对相变存储单元进行了测试,结果表明,用电流梯度波写驱动电路替代传统单一脉高电流脉冲波写驱动电路,相变存储器的低阻分布更加集中,可提高实验芯片的成品率。
- 范茜陈后鹏许伟义王倩蔡道林金荣宏潇李喜陈一峰宋志棠
- 关键词：相变存储器阶梯波
