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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-08-0035)

作品数：1 被引量：3H指数：1
相关作者：黄安平杨智超王玫肖志松程国安更多>>
相关机构：北京师范大学北京航空航天大学更多>>
发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇栅介质
  • 1篇栅介质材料
  • 1篇稀土
  • 1篇稀土掺杂
  • 1篇介质
  • 1篇HF
  • 1篇掺杂

机构

  • 1篇北京师范大学
  • 1篇北京航空航天...

作者

  • 1篇郑晓虎
  • 1篇程国安
  • 1篇肖志松
  • 1篇王玫
  • 1篇杨智超
  • 1篇黄安平

传媒

  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
稀土元素掺杂的Hf基栅介质材料研究进展被引量：3
2011年
随着金属氧化物半导体场效应管(MOSFETs)等比缩小到45nm技术节点,具有高介电常数的栅介质材料(高k材料)取代传统的SiO2已经成为必然,然而Hf基高k材料在实际应用中仍然存在许多不足,而稀土元素掺杂在提高Hf基栅介质材料的k值、降低缺陷密度、调整MOSFETs器件的阈值电压等方面表现出明显的优势.本文综述了Hf基高k材料的发展历程,面临的挑战,稀土掺杂对Hf基高k材料性能的调节以及未来研究的趋势.
郑晓虎黄安平杨智超肖志松王玫程国安
关键词：稀土掺杂
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共1页<1>
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