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国家高技术研究发展计划(2007AA03Z110)

作品数:3 被引量:12H指数:2
相关作者:李国栋熊翔陈招科孙威张帆更多>>
相关机构:中南大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划国家自然科学基金创新研究群体项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇气相沉积
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇CVD
  • 2篇表面形貌
  • 1篇冷态
  • 1篇TAC
  • 1篇常压化学气相...

机构

  • 3篇中南大学

作者

  • 3篇熊翔
  • 3篇李国栋
  • 2篇孙威
  • 2篇陈招科
  • 1篇刘岗
  • 1篇王雅雷
  • 1篇郑湘林
  • 1篇张帆

传媒

  • 1篇中国有色金属...
  • 1篇航空材料学报
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 1篇2011
  • 2篇2010
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
冷态输送ZrCl_4低压化学气相沉积ZrC涂层的制备被引量:2
2011年
采用ZrCl4-CH4-H2-Ar反应体系,冷态输送ZrCl4粉末化学气相沉积(CVD)制备ZrC涂层。采用热力学计算并结合实验结果分析了冷态输送ZrCl4化学气相沉积ZrC涂层的特点,采用X射线衍射仪和扫描电镜分析了涂层的物相组成、表面形貌和组织结构。结果表明:冷态输送ZrCl4粉末大幅度降低了ZrC的化学气相沉积温度,且容易获得大面积、结构均匀的ZrC涂层。涂层表面由直径在20~80nm之间的颗粒组成,为无规则"田状"组织。涂层结构主要为柱状晶,沿(200)面优先生长。分析了这种新型"田状"ZrC涂层组织的形成机理以及ZrC涂层的生长机制。
刘岗李国栋熊翔王雅雷陈招科孙威
关键词:CVD表面形貌
Ar气流量对石墨表面CVD TaC涂层生长与表面形貌的影响被引量:6
2010年
用C3H6作为碳源气,Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽源,采用化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)在高纯石墨表面制备TaC涂层。采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)等对涂层进行表征,研究1 000℃下稀释气体(Ar)流量对TaC涂层成分、织构及表面形貌的影响。结果表明:随着稀释气体流量增大,表面均匀性和光滑度提高,晶粒尺寸减小,晶体择优取向降低,沉积速率减小,涂层中C含量增多。当稀释气体流量为100 mL/min时,TaC涂层晶粒尺寸与沉积速率分别为32.5 nm和0.60μm/h;而当稀释气体流量增大到600 mL/min时,涂层晶粒尺寸与沉积速率分别下降到21 nm和0.25μm/h。
张帆李国栋熊翔陈招科
关键词:TAC化学气相沉积
氢气浓度对常压化学气相沉积ZrC涂层的影响被引量:4
2010年
采用ZrCl4-CH4-H2-Ar体系在C/C材料基体上进行常压化学气相沉积(APCVD)制备碳化锆(ZrC)涂层。通过X射线衍射技术(XRD)和扫描电镜(SEM)对不同H2浓度下制备的ZrC涂层进行分析。对H2在沉积过程中的作用机制进行了讨论。结果表明:H2浓度对涂层的相组成、晶体的择优取向和结构形态有重要影响;无H2或H2浓度较低时,涂层含有大量的热解碳,由ZrC和碳两相组成,涂层呈多孔颗粒状;当H2浓度(体积分数)增加到30%以上时,涂层的相成分变为单一ZrC相;当H2的浓度增加到90%时,ZrC晶体取向由(111)、(200)转变为强烈的(220)择优取向,晶粒形貌变为纳米针状。
李国栋郑湘林熊翔孙威
关键词:常压化学气相沉积
共1页<1>
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