国家自然科学基金(10547103)
- 作品数：1 被引量：17H指数：1
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- Y掺杂SrTiO_3晶体材料的电子结构计算被引量：17
- 2009年
- 采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软赝势法,研究了Y掺杂SrTiO3体系的空间结构和电子结构性质,得到了优化后体系的结构参数,掺杂形成能,能带结构和电子态密度.对比掺杂浓度为0.125,0.25,0.33时,Sr1-xYxTiO3和SrTi1-xYxO3的掺杂形成能,发现Y替代Sr能形成更稳定的结构.对Sr1-xYxTiO3(x=0,0.125,0.25,0.33)的结构进行了优化,结果表明Y替代Sr后,随着掺杂浓度增大,体系的晶格常数逐渐减小,稳定性逐渐增强.对不同掺杂浓度的Sr1-xYxTiO3能带结构的计算结果表明:纯净的SrTiO3是绝缘体,价带顶在R点,导带底在Γ点,费米能级处于价带顶;掺杂Y后,费米能级进入到导带底中,体系呈金属性;掺杂浓度越大,费米能级进入导带的位置越深,禁带宽度也近似变宽.
- 徐新发邵晓红
- 关键词：SRTIO3电子结构VASP
