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国家教育部博士点基金(20060614009)

作品数:4 被引量:3H指数:1
相关作者:蒋书文李言荣李汝冠齐增亮王鲁豫更多>>
相关机构:电子科技大学更多>>
发文基金:国家教育部博士点基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电性能
  • 2篇射频磁控
  • 2篇射频磁控溅射
  • 2篇介电
  • 2篇介电性
  • 2篇介电性能
  • 2篇溅射
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇湿法刻蚀
  • 1篇损耗
  • 1篇图形化
  • 1篇无机非金属
  • 1篇无机非金属材...
  • 1篇刻蚀
  • 1篇刻蚀液
  • 1篇基片
  • 1篇非金属材料
  • 1篇NB
  • 1篇ZN

机构

  • 4篇电子科技大学

作者

  • 4篇蒋书文
  • 3篇李言荣
  • 2篇李汝冠
  • 2篇齐增亮
  • 1篇程鹏
  • 1篇张鹰
  • 1篇刘兴钊
  • 1篇高莉彬
  • 1篇张凯
  • 1篇王鲁豫

传媒

  • 2篇微纳电子技术
  • 1篇电子科技大学...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 1篇2008
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
铋基焦绿石薄膜的湿法刻蚀方法研究
2010年
介绍了一种能对铋基焦绿石薄膜进行湿法刻蚀的有效方法,研究了HF,NH4F和HNO3的水溶液对铌酸锌铋(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7,BZN)和铌酸镁铋(Bi1.5MgNb1.5O7,BMN)两种铋基焦绿石薄膜的刻蚀情况。结果表明,刻蚀配比V(HF)∶m(NH4F)∶V(HNO3)∶V(H2O)为10mL∶3g∶10mL∶10mL时,BZN和BMN薄膜能得到有效刻蚀,刻蚀速率分别为7nm/s和4nm/s,图形刻蚀精度高。最后讨论了该刻蚀液对铋基焦绿石薄膜的刻蚀机理,加入NH4F作为络合剂能避免刻蚀过程中三氟化铋BiF3难溶沉淀物的生成,加入HNO3作为助溶剂可以调节刻蚀速率,从而提高湿法刻蚀的图形精度。
高莉彬李汝冠蒋书文李言荣
关键词:湿法刻蚀图形化刻蚀液
Cd掺杂BZCN薄膜的制备及其介电性能
2007年
用射频磁控溅射法,在Pt/Si基片上制备了立方烧绿石结构的Cd掺杂Bi1.5Zn0.7Cd0.3Nb1.5O7(BZCN)薄膜。研究了衬底温度对薄膜结构、表面形貌以及介电性能的影响。结果表明,沉积温度为600℃,退火温度为700℃制备的薄膜,在测试频率为100 kHz,测试电场强度为1.33×106 V/cm的条件下,介电可调率达到11.8%,tanδ小于0.004 2。
张凯蒋书文程鹏张鹰齐增亮
关键词:无机非金属材料射频磁控溅射介电性能
Au/Si基片上沉积Bi_(1.5)Zn_(1.0)Nb_(1.5)O_7薄膜介电性能的研究被引量:1
2008年
采用磁控溅射法在Au/Si基片上制备了铌酸锌铋BZN(Bi1.5Zn1.0Nb1.5O7)薄膜。在基片温度200℃、本底真空1×10^-3Pa条件下,BZN靶溅射0.5h,作为自缓冲层;然后在400℃下溅射1.5h,薄膜总厚度为200nm,650℃原位真空退火1h。XRD分析显示该薄膜为〈222〉单一取向,结晶良好;AFM扫描显示表面平整;测试表明不同频率下薄膜的性能没有大的改变。实验证明,选用电阻率较小的Au电极材料有利于器件性能的提高,实验得到介电常数可调率约20%、损耗为0.002-0.004。
齐增亮蒋书文李言荣
关键词:射频磁控溅射介电性能损耗
介电可调薄膜材料及压控微波器件研究被引量:2
2009年
利用介电可调薄膜材料的调谐特性研制的介质压控微波器件高频特性好、功率容量大、响应速度快,还有易集成、功耗小、成本低、可靠性高的特点,相比半导体管、铁氧体以及MEMS器件有明显的优势。该文系统介绍了近年来国内外介电可调薄膜材料及压控微波器件的研究进展,并结合作者的工作评述了介电可调薄膜材料和压控微波器件的应用情况。除研究最为集中的钛酸锶钡BaxSr1-xTiO3(BST)材料,还介绍了具有较高调谐率的铋基焦绿石铌酸铋镁Bi1.5MgNb1.5O7(BMN)薄膜材料,该材料介电损耗低(约0.002),介电常数适中(约86),温度系数小,是一种极具发展前景的微波介电可调材料。
蒋书文李汝冠王鲁豫刘兴钊李言荣
共1页<1>
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