国家重点基础研究发展计划(2011CB605800)
- 作品数：3 被引量：12H指数：2
- 相关作者：王子璇吴雯倩但奇善孙威熊翔更多>>
- 相关机构：中南大学航天材料及工艺研究所中国科学院大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金创新研究群体科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术更多>>
- RMI-ZrC快速改性C/C复合材料的微观结构特征及烧蚀性能
- 针对化学气相渗透（CVI）、聚合物浸渍裂解（PIP）等工艺制备ZrC超高温陶瓷改性C/C基体制备周期长、残余孔隙率高、陶瓷相分散且含量低等缺陷,采用更具应用前景的反应熔渗法（RMI）制备ZrC改性C/C复合材料（C/C-...
- 但奇善孙威熊翔
- 关键词：ZRC基体改性烧蚀性能
- 文献传递
- 中间相沥青基石墨中缺陷的原子尺度
- 2017年
- 含有大量液晶分子的中间相沥青是制备轴向高导热炭/炭复合材料的重要原料,以中间相沥青基炭纤维为增强体与中间相沥青基体经液相浸渍法制备高导热炭/炭复合材料。中间相沥青基体随着热处理温度不断升高逐渐转化为包含诸多缺陷的石墨晶体,这些缺陷对复合材料的热传导有较大影响。利用透射电子显微镜研究中间相沥青基石墨晶体中的缺陷结构,尤其是不完整石墨晶体[11 0]晶带轴衍射谱中(10)列衍射斑点拉线的成因。结果表明,中间相沥青基体经3 000℃热处理后主要形成六角石墨,但六角石墨主体中夹杂数层菱形石墨,进一步发现,够成(10)列衍射拉线的缺陷主要包括两类:层错(基面间不同程度位移形成的位移缺陷)和晶界(相邻晶粒间相互旋转形成的旋转缺陷以及非共格晶界)。
- 荣菊朱媛苑樊帧冯志海贺连龙
- 关键词：拉线
- 反应熔渗法制备C/C-ZrC复合材料的微观结构及烧蚀性能被引量：10
- 2013年
- 采用反应熔渗法(reactive melt infiltration,RMI)制备ZrC改性多孔C/C复合材料,研究不同孔隙度的C/C多孔体在熔渗过程中的增密行为和渗Zr后的相组成及微观形貌,探寻具有最佳熔渗效果的C/C多孔体,并研究所得C/C-ZrC复合材料在不同温度下的氧乙炔焰烧蚀行为。结果表明,随C/C多孔体密度增加,C/C-ZrC复合材料的密度降低;其中密度为1.40 g/cm3的多孔体熔渗效果最佳,开孔隙率由熔渗前的28.2%降低到6.6%。;熔渗的Zr液易与网胎层处的炭纤维和基体炭反应,生成的ZrC陶瓷相主要分布在原网胎层位置。择取原始密度为1.40 g/cm3的C/C多孔体熔渗后进行60 s的氧乙炔焰烧蚀实验,在3 000℃下的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为0.003 3 mm/s和0.004 2 g/s,在2 500℃下的线烧蚀率和质量烧蚀率分别为0.008 0 mm/s和0.009 0 g/s,C/C-ZrC复合材料在3 000℃下的抗烧蚀性能明显优于2 500℃下的抗烧蚀性能。
- 但奇善孙威熊翔王子璇吴雯倩
- 关键词：ZRC微观结构烧蚀性能
- C/C复合材料表面原位生长SiC_w的工艺被引量：2
- 2012年
- 以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化剂以及沉积温度对碳化硅晶须生长的影响。结果表明:有催化剂存在时可以制备具有较高长径比的SiCw,无催化剂制备的SiC主要以短棒状或球状SiC为主;随着稀释气体流量或者沉积温度的增加,SiCw的产率是先增加、后减少,在1 100℃、载气和稀释气体流量均为100 mL/min时,制备的碳化硅晶须的产率最高,晶须质量最好。
- 李军谭周建廖寄乔张翔李丙菊
- 关键词：碳化硅晶须C/C复合材料沉积温度
- 原位生长碳化硅纳米纤维对炭/炭复合材料摩擦磨损行为的影响
- 采用催化化学气相沉积法在预制体内碳纤维表面原位生长了碳化硅纳米纤维,再通过致密制备了碳化硅纳米纤维改性C/C复合材料。采用MM-1000型摩擦磨损试验机测试了原位生长碳化硅纳米纤维对C/C复合材料摩擦磨损性能的影响。结果...
- 卢雪峰肖鹏
- 关键词：C/C复合材料
- 文献传递
