NSAF联合基金(10876005)
- 作品数：1 被引量：15H指数：1
- 相关作者：肖坤祥曾清向伟梅林冉汉正更多>>
- 相关机构：中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
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- 相关领域：理学更多>>
- 高产额中子发生器研制被引量：15
- 2012年
- 本文介绍了用于安检辐射成像的高产额中子管及中子发生器装置的主要性能指标和研发设计过程。中子管离子源采用冷阴极潘宁离子源,在引出阴极加磁钢,提高引出离子浓度。离子光学系统采用单电极加速结构,靶端通过外加电阻产生抑制电压,减小靶流,提高中子管工作稳定性。对中子管离子源和靶端通过散热结构设计和利用变压器油进行散热,效果良好。通过对中子管的各项性能参数进行测试,离子流可达50mA以上,引出束流接近1mA,中子产额达1.1×1010 s-1。研发的高产额中子管及发生器装置具有产额高、工作稳定、安全便携等优点,达到了设计目的。
- 肖坤祥冉汉正曾清向伟梅林
- 关键词：离子源中子发生器
- 高产额中子发生器研制
- 本文介绍了用于安检辐射成像的高产额中子管及中子发生器装置的主要性能指标和研发设计过程。中子管离子源采用冷阴极潘宁离子源,在引出阴极加磁钢,提高引出离子浓度。离子光学系统采用单电极加速结构,靶端通过外加电阻产生抑制电压,减...
- 肖坤祥冉汉正曾清向伟梅林
- 关键词：离子源中子发生器
- 文献传递
