贵州省科学技术基金(JLKM[2013]15)
- 作品数：4 被引量：2H指数：1
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- 相关机构：贵州民族大学华南理工大学贵州大学更多>>
- 发文基金：贵州省科学技术基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 单斜BiScO3和BiCrO3的电子结构和光学性质的第一性原理比较研究被引量：1
- 2017年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势平面波方法,对单斜BiScO_3和BiCrO_3的电子结构和光学性质进行了比较研究.结果表明:BiScO_3为无磁绝缘体,带隙为直接带隙,BiCrO_3为间接带隙磁性半导体;BiScO_3和BiCrO_3都不吸收能量小于1.02 eV的光子,BiScO_3吸收可见光的能力强于BiCrO_3.
- 骆最芬范梦慧黄金保岑伟富赵宇军
- 关键词：第一性原理电子结构光学性质
- BiTiO_3和BiVO_3稳定性的第一性原理研究被引量：1
- 2013年
- 本文采用密度泛函理论中的广义梯度近似和赝势平面波方法对BiTiO3和BiVO3的稳定性进行了第一性原理计算和相图研究,预测他们在热力学平衡条件下的稳定性。结果表明,这两种物质都很难在热力学平衡条件下稳定。因此,合成这两种物质时,应该考虑热力学平衡之外的其他方法。
- 骆最芬陈星源汤家俊林诗源范梦慧赵宇军
- 关键词：稳定性第一性原理相图热力学平衡
- 外压调制对Cr-Se共掺杂单层MoS2光电特性的影响
- 2015年
- 采用基于第一性原理的贋势平面波方法,对比研究了Cr-Se共掺杂单层MoS2未施应变和(0001)面施加应变的光电特性。计算结果表明:未施加应变体系属直接带隙半导体,张应变下体系的带隙值随应变增加而减小,压应变下带隙值随应变增加先增加后减小,在应变为-6%时转化为Γ-M间接带隙半导体,带隙值达到极大值1.595eV;介电函数和折射率随张应变的增加而增加,随压应变增加先减小后增大,在压应变为-6%时达到极小值3.627和1.905;光电导率和能量损失函数随张应变增加而减小,随压应变增加先增加后减小,应变分别为-5%和-2%时达到极大值2.588和9.428。可见,应变能更精细地调制Cr-Se共掺杂单层MoS2的光电特性。
- 范梦慧蔡勋明岑伟富骆最芬闫万珺谢泉
- FERE法研究M_xO_y(M=Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni)形成能
- 2016年
- 采用密度泛函理论(DFT)中的广义梯度近似法(GGA+U)对氧化物M_xO_y(M=Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni)进行几何结构优化,然后计算其总能,根据形成能与总能的关系求出它们的形成能,再用FERE(Fitted Elemental-phase Reference Energies)方法对形成能进行修正。结果表明:修正后,每个单胞形成能相对实验值的平均绝对偏差由0.59 eV降低到0.46 eV,其中Ti-O、V-O、Co-O和Ni-O化合物的形成能修正值更接近实验值;而其他元素氧化物的形成能修正值相对于实验值的平均绝对偏差略有增大。
- 骆最芬范梦慧岑伟富
- 关键词：形成能
