国家教育部博士点基金(2010317110001)
- 作品数：1 被引量：1H指数：1
- 相关作者：王书杰王阳刘志国杨帆杨瑞霞更多>>
- 相关机构：专用集成电路与系统国家重点实验室河北工业大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 富磷InP单晶中气孔的形成及其结构研究被引量：1
- 2013年
- 采用P注入原位合成液封直拉生长法制备了富磷的3英寸(1英寸=2.54 cm)〈100〉InP单晶锭,对晶体中气孔的形成机理做了初步分析。采用场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表面形貌及成分分析(EDS),采用X射线衍射仪对样品结晶质量进行测试。结果表明,在晶体生长过程中,熔体中富余的磷会形成磷气泡,磷气泡容易在固液界面边缘处堆积,进而形成气孔,晶片边缘处的孔洞较大且数量较多;晶体生长结束后,富余的磷会冷凝并淀积在气孔内壁上,在晶锭退火时,开始的热冲击使得气孔中富余的磷气化,降温过程中,由于晶锭内部温度高,富余的磷先冷凝并淀积在气孔内壁靠近晶锭边缘的一侧;晶片孔洞附近的结晶质量远低于无孔洞位置。
- 刘志国杨瑞霞杨帆王阳王书杰孙同年孙聂枫
- 关键词：磷化铟气孔
