国家高技术研究发展计划(2009AA03Z216)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：成波刘大博庞晓露杨会生刘勇更多>>
- 相关机构：北京科技大学清华大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- Zn、Pr共掺In_2O_3陶瓷材料的高温热电传输性能被引量：1
- 2012年
- 利用放电等离子SPS烧结工艺制备得到Zn、Pr共掺的In2O3多晶陶瓷材料。通过研究材料的热电传输性能和微观结构,发现共掺工艺对SPS烧结的In2O3陶瓷材料的传输性能有着显著的影响,其结构为多孔结构。低浓度共掺的样品在测试温度范围内能够得到较高的电导率(约100S/m)和热电势(约200μV/K)。其中试样In1.92(Pr,Zn)0.08O3的热导率973K最低为2.5W/(m.K),该样品可获得最高的热电功率因子3.5×10-4 W/(m.K2),对应其热电优值0.10。其性能表明利用放电等离子SPS烧结工艺制备的In2O3基陶瓷作为n型高温热电材料具有很好的潜力。
- 成波刘勇刘大博林元华南策文
- 关键词：热电IN2O3热导率
- 射频反应磁控溅射法制备ZnO:Al透明导电薄膜的光电性能被引量：1
- 2011年
- 室温下采用射频(RF)反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积具有(002)择优取向的透明导电Al掺杂ZnO(AZO)薄膜。XRD结果表明,制备的AZO薄膜为多晶,具有c轴择优取向。退火处理能提高其结晶度。在Al靶射频功率为40W,ZnO靶射频功率为250W,氩气流量为15mL/min的条件下,获得200nm厚的薄膜电阻率约3.8×10-3?·cm,在可见光范围内有很好的光透过率。
- 徐绍亮庞晓露杨会生张波萍
- 关键词：射频反应磁控溅射透明导电薄膜AZO薄膜光电性能
