安徽省高校省级自然科学研究项目(KJ2009A091)
- 作品数：18 被引量：27H指数：3
- 相关作者：李合琴何晓雄聂竹华都智储汉奇更多>>
- 相关机构：合肥工业大学中国电子科技集团公司中国电子科技集团公司第43研究所更多>>
- 发文基金：安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信金属学及工艺电气工程更多>>
- 直流/射频反应磁控溅射法制备W掺杂VO_X薄膜的工艺和性能被引量：1
- 2011年
- 用直流/射频反应磁控共溅射法分别在玻璃和单晶硅片基底上制备VOX薄膜和W掺杂VOX薄膜,经退火后,对薄膜进行电阻-温度特性、XRD、表面形貌等测试。结果表明:当溅射气压为1.5 Pa、氧氩比为0.8:25 sccm、V靶采用100 W直流电源、W靶10 W射频电源共溅射制备的W掺杂VOX薄膜,经Ar气氛中450℃退火2 h后,薄膜相变温度由未掺杂时的68℃降低到40℃左右。XRD衍射结果表明部分W原子进入了VOX晶格;另外单晶硅片上制备的VOX薄膜的电阻温度系数和电阻值均大于玻璃基片上制备的薄膜。
- 聂竹华李合琴都智储汉奇宋泽润
- 关键词：直流射频磁控共溅射相变温度
- LPCVD制备多晶Si薄膜的工艺和性能分析被引量：1
- 2012年
- 文章利用低压化学气相沉积法(LPCVD),在单晶Si衬底上制备多晶Si薄膜。利用原子力显微镜观察薄膜厚度和镀膜温度对多晶Si薄膜表面形貌的影响,并利用XRD研究退火温度对多晶Si薄膜结晶性能的影响。结果表明:镀膜温度越高、薄膜越厚,薄膜的晶粒尺寸越大;退火温度越高,薄膜的结晶越好。
- 胡佳宝何晓雄杨旭
- 关键词：多晶硅薄膜表面形貌X射线衍射
- SiO_2/TiO_2减反膜系的制备和性能测试被引量：4
- 2012年
- 由于减反射薄膜的性能受制备工艺的影响很大,文章采用SiO2和TiO2作为低、高折射率膜料,采用磁控溅射法在玻璃基片上制备了多层减反射膜系,研究了制备工艺对薄膜性能的影响,从理论和实验2个方面得出了制备的多层减反射膜系在450～625nm波段具有明显的增透效果,在520nm处有98%的透过率。
- 王曦雯何晓雄胡佳宝
- 关键词：磁控溅射
- 不锈钢基Al_2O_3/SiC双层薄膜的制备和性能被引量：1
- 2012年
- 用磁控溅射法在奥氏体不锈钢上分别制备了SiC单层膜和Al2O3/SiC双层膜,研究了溅射气压,溅射功率以及退火温度对性能的影响。对比了二者的结构、硬度以及耐腐蚀性。结果表明,Al2O3缓冲层降低了SiC薄膜与奥氏体不锈钢基底的热失配和晶格失配,减少了因其而产生的缺陷,从而改善了奥氏体不锈钢上SiC薄膜的结晶质量。
- 武大伟李合琴刘丹刘涛李金龙
- 关键词：耐腐蚀性
- CLAM钢表面硬质薄膜的制备与性能研究
- 2011年
- 采用射频反应磁控溅射法在中国低活化马氏体(CLAM)不锈钢表面制备了单层A12O3、SiC、W薄膜以及SiC/A12O3、W/A12O3双层膜。对所制备的薄膜进行了XRD结构分析、AFM表面形貌测试和显微硬度测试。结果表明:单层SiC薄膜表面出现了部分脱落,而SiC/A12O3双层膜表面完整光滑。W/A12O3双层薄膜表面平整光滑,均方根粗糙度为4.28 nm。W单层薄膜和W/A12O3双层薄膜经氩气中800℃退火2 h后硬度最高,分别达到了34.4 GPa和31.3 GPa。
- 储汉奇李合琴都智聂竹华
- 关键词：射频反应磁控溅射CLAM钢SIC薄膜
- 硅基底的CVD扩磷工艺研究
- 2014年
- 文章利用化学气相沉积(CVD)扩磷的方法,在单晶硅基底上进行扩磷工艺研究。采用X射线光电子能谱分析扩磷硅基底,通过原子力显微镜观察扩磷时间和温度对硅基底表面形貌的影响,并利用半导体特性测试仪研究扩磷时间和温度对硅基底I-V特性的影响。结果表明,扩磷温度和时间对硅基底的表面粗糙度和晶粒的平均尺寸影响较大,扩磷时间越长、温度越高,硅基底的电学特性越明显。
- 杨旭何晓雄胡冰冰马志敏
- 关键词：硅基底表面形貌化学气相沉积VAPOUR
- Al_2O_3薄膜的发光性能及其结构研究被引量：1
- 2010年
- 以高纯铝为靶材,在不同氧氩比例下,采用直流反应磁控溅射法制备了Al2O3薄膜。用F-4500型荧光分光光度计测量其荧光光谱,观察到416 nm和438 nm处的光致发光发射谱(PL),是由于氧空位充当的色心所致,且随着氧氩比例的增加,峰的位置基本不变,强度先上升后下降,这是由于氧氩比例的改变导致氧空位浓度变化引起的。通过对未退火及不同温度退火样品的XRD分析发现:室温沉积的Al2O3薄膜为非晶态,400℃退火开始有晶体出现,且退火温度越高,结晶性能越好。
- 储汉奇李合琴聂竹华都智朱景超
- 关键词：AL2O3薄膜直流反应磁控溅射光致发光光谱氧空位XRD
- 氧氩比对磁控溅射ZnO薄膜结构及光致发光性能的影响被引量：2
- 2011年
- 采用射频反应磁控溅射法以不同的氧氩比在玻璃衬底上制备了ZnO薄膜,并对薄膜进行了退火处理;利用X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)分别对薄膜的物相组成和表面形貌进行了分析,利用荧光分光光度计对ZnO薄膜的室温光致发光(PL)谱进行了测试。结果表明:当氧氩气体积比为7∶5时,所制备的ZnO薄膜晶粒细小均匀,薄膜结晶质量最好;ZnO薄膜具有紫光、蓝光和绿光三个发光峰,随着氧氩比的增加,蓝光的发射强度增强,而紫光和绿光的发射强度先增强后减弱,当氧氩气体积比为7∶5时紫光和绿光的发射强度最强。
- 刘丹李合琴刘涛武大伟
- 关键词：ZNO薄膜射频反应磁控溅射光致发光
- 一种多绕组磁场发生器的设计被引量：2
- 2012年
- 文章依据亥姆霍兹线圈原理提出了一种多绕组结构的磁场发生器设计方案,利用Maxwell软件对其进行模拟仿真分析,并制作了一套多绕组磁场发生器。通过对比实际测量数值与模拟仿真数值,证明了该设备能产生0～2T的磁场,在中心区域磁感应强度的不均匀性小于3%,得到了预期效果。
- 韩亮何晓雄王智广
- 关键词：磁场发生器亥姆霍兹线圈有限元电磁场多绕组
- 磁控溅射工艺对VO_x薄膜结构和性能的影响被引量：2
- 2010年
- 以高纯氧和高纯氩为气源,通过改变薄膜的制备工艺,用直流磁控溅射法在玻璃和单晶硅片上制备了VO_x薄膜,并对其进行了退火处理。借助LCR测试仪和X射线衍射仪,对VO_x薄膜的电阻温度系数、晶体结构进行了检测。结果表明,当溅射气压为1.5Pa,功率为100W,时间为1h,氧氩比为0.8:25时,经450℃退火后,玻璃基片上制备的薄膜的电阻温度系数(TCR)超过-0.02/℃,其结构和性能最好。同时对比了玻璃和单晶硅基片对VO_x薄膜的生长、性能和结构的影响。当氧氩比为0.8:25时,单晶硅片上制得的VO_x薄膜的质量和性能最好。
- 聂竹华李合琴储汉奇都智宋泽润
- 关键词：直流磁控溅射退火电阻温度系数
