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国家部委资助项目(51308010608)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：韩本光吴龙胜方勇刘佑宝陈超更多>>
相关机构：西安微电子技术研究所更多>>
发文基金：国家部委资助项目更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇电荷共享
  • 1篇亚微米
  • 1篇深亚微米
  • 1篇微米
  • 1篇NMOS器件
  • 1篇超深亚微米

机构

  • 1篇西安微电子技...

作者

  • 1篇陈超
  • 1篇刘佑宝
  • 1篇方勇
  • 1篇吴龙胜
  • 1篇韩本光

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2010
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
130nm NMOS器件的单粒子辐射电荷共享效应被引量：2
2010年
研究了同一p阱内两个130nm NMOS器件在受到重离子辐射后产生的电荷共享效应。使用TCAD仿真构造并校准了130nm NMOS管。研究了在有无p+保护环结构及不同器件间距下,处于截止态的NMOS晶体管之间的电荷共享,给出了电荷共享效应与SET脉冲电流产生的机理。同时分析了NMOS晶体管中的寄生双极管效应对反偏漏体结电荷收集的加剧作用。仿真结果表明,p+保护环可以有效地减小NMOS器件间的电荷共享,加速SET脉冲电流的泄放,证实了p+保护环对器件抗单粒子辐射的有效性,从而给出了该方法在抗单粒子辐射器件版图设计中的可行性。
陈超吴龙胜韩本光方勇刘佑宝
关键词：电荷共享超深亚微米
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共1页<1>
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