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锑化物HEMT器件研究进展: 2011年; 由于锑化物具有高电子迁移率和高电子饱和漂移速度等优越的材料性能,锑化物高电子迁移率晶体管(HEMT)微电子器件在制造新一代超高速、超低功耗电子器件和集成电路应用方面极具潜力,有很大的发展空间。本文中对锑化物HEMT的器件结构、器件结构改进、器件性能和应用等方面进行了评述,并指出了当前需要解决的关键问题及其广阔的发展前景。; 李彦波刘超张杨曾一平; 关键词：高电子迁移率晶体管 HEMT

快速退火对ZnTe外延层性能及In电极的影响被引量：1: 2013年; 研究了在GaAs(001)衬底上外延生长的本征ZnTe薄膜样品在氮气氛中450～550℃下的快速退火行为。对于1 min退火的样品,随着退火温度的升高,ZnTe(004)峰双晶X射线(DCXRD)摇摆曲线的半高宽(FWHM)逐渐下降;样品表面粗糙度均方根值(RMS)由退火前的5.3 nm下降至4.7 nm左右。对于450℃退火5 min的样品,其晶体质量与550℃退火1 min的样品相当,但RMS值下降到4.26 nm。ZnTe薄膜表面的In电极之间在未退火时呈高阻状态,在适当条件下退火后In电极之间可以导通,且随着退火温度的降低,所需的退火时间将延长。但550℃退火时In电极的外观形貌发生改变且不能导通。; 杨秋旻刘超张家奇崔利杰曾一平; 关键词：碲化锌快速退火晶体质量表面形貌

低温缓冲层对MBE生长ZnTe材料性能的改善被引量：1: 2012年; 研究了低温缓冲层对在GaAs(001)衬底上用分子束外延(MBE)生长ZnTe薄膜晶体质量的影响。发现插入低温缓冲层后ZnTe的结晶质量、表面形貌和发光质量都得到了显著的提高,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnTe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从529 arcsec减小到421 arcsec,表面均方根(RMS)粗糙度从6.05 nm下降到3.93 nm。而作为对比,插入高温缓冲层并不能对ZnTe薄膜的质量起到改善作用。基本上实现了优化工艺的目标并为研制ZnTe基光电器件微结构材料奠定了很好的实验基础。; 张家奇赵杰刘超崔利杰曾一平; 关键词：碲化锌分子束外延

锑化物超晶格红外探测器的研究进展被引量：5: 2010年; InAs/InGaSb超晶格具有特殊的能带结构,优越的材料性能,被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs/InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍,并指出了超晶格探测器进一步发展需要解决的问题及其广阔的应用前景。; 李彦波刘超张杨赵杰曾一平; 关键词：双色探测器

Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2: 2013年; Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备多结电池。本文介绍了上述几种思路的理论及实验研究现状,以及Ⅱ-Ⅵ族材料顶电池的研究进展;同时分析了阻碍Ⅱ-Ⅵ族半导体材料应用的单极性掺杂问题,介绍了提高掺杂水平可能的途径。; 杨秋旻刘超崔利杰曾一平; 关键词：叠层太阳能电池掺杂

锑化物半导体材料与器件应用研究进展被引量：3: 2009年; 窄禁带的锑化物半导体材料近年来被国际上公认为第三代超高速、超低功耗集成电路和第三代焦平面阵列红外探测器的首选材料体系。概述了它们独特的能带结构和物理特性及其为各种新型功能器件的研发提供的极大发展空间,指出该材料成为美国、日本、德国、以色列等发达国家竞相开展研究的热点领域。概要介绍了锑化物半导体材料的制备工艺、存在的问题和器件应用的一些最新成果,给出了今后该领域的发展趋势。; 刘超曾一平; 关键词：红外激光器红外探测器集成电路

新型高效太阳能电池研究进展被引量：14: 2011年; 第三代太阳能电池以超高效率、薄膜化、低成本为主要目标,目前发展起来的有多结叠层太阳能电池、中间带太阳能电池、多激子产生太阳能电池、热载流子太阳能电池和热光伏太阳能电池等.文章简要介绍了以上几种新型太阳能电池的工作原理和最新进展,并对其发展前景作了分析和预测.; 赵杰曾一平; 关键词：太阳能电池量子点热载流子

ZnCl_2掺杂n型ZnSe的分子束外延生长被引量：2: 2012年; 利用分子束外延(MBE)技术,以5N的ZnCl2作为掺杂源,在半绝缘GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSe∶Cl单晶薄膜。研究发现,掺入ZnCl2后,ZnSe外延层的结晶质量和表面形貌与本征ZnSe外延层相比变差,双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)的ZnSe(004)衍射峰半峰宽(FWHM)从432arcsec增大到529arcsec,表面均方根粗糙度(RMS)从3.00nm增大到3.70nm。当ZnCl2掺杂源炉的温度为170℃时,ZnSe样品的载流子浓度达到1.238×1019 cm-3,可以满足结型器件制作和隧道结材料设计的要求。; 张家奇杨秋旻赵杰崔利杰刘超曾一平; 关键词：硒化锌 N型掺杂分子束外延 II-VI族化合物半导体

Structural and magnetic properties of Yb-implanted GaN: 2013年; N-type, p-type and unintentionally-doped GaN were implanted with Yb ions by double energy ion im- plantation and the samples were annealed at 900 ℃. The structural and magnetic properties of the samples have been studied by high-resolution X-ray diffraction （HRXRD）, Raman scattering and with a superconducting quan- tum interference device （SQUID）. No second phase has been observed and implantation induced defects can not be completely removed by rapid thermal annealing. The annealed samples show magnetic anisotropy and clear ferromagnetic behavior at room temperature. P-, u- and n-GaN：Yb samples show an effective magnetic moment of 1.60, 1.24 and 0.59 μB/Yb, respectively.; 尹春海刘超陶东言曾一平

Ⅱ-Ⅵ族镉化物材料的MBE生长及器件应用进展被引量：4: 2011年; Ⅱ-Ⅵ族镉(Cd)化物,如CdTe、CdSe、CdSeTe等具有直接带隙、光学吸收系数高和电学特性优异等突出特点,在太阳电池、X及γ射线探测器、红外焦平面阵列(FPA)等方面均得到了广泛应用。文章简要综述了近年来用分子束外延(MBE)工艺生长镉化物微结构材料的研究进展和器件应用动态,并对镉化物在光电子领域中的发展前景进行了展望。; 赵杰刘超李彦波曾一平; 关键词：分子束外延 X射线探测器红外焦平面阵列

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