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The Influence of Bi Content on the Properties of Bismuth Ferrite Thin Films Fabricated by Magnetron Sputtering: In the process of BiFeO 3 film preparation by magnetron sputtering, Bi element is volatile, leading to the fil...; Hurui YanNuofan DingGang WuPingxiong YangJunhao ChuHongmei Deng; 文献传递

Zn-Mn共掺对BTO薄膜光学性质及铁电性能的影响(英文): 2012年; 利用溶胶凝胶法在Si(100)和LNO/Si(100)衬底上成功制备了Zn-Mn共掺钛酸钡薄膜.为了更充分地研究掺杂量对薄膜的晶体微结构和铁电性的影响,利用同样的方法分别制备了不同掺杂量的掺Zn和掺Mn钛酸钡薄膜.X射线衍射和原子力显微镜测量的结果表明薄膜均匀致密,且平均晶粒尺寸在30 nm以内.通过比较400～700 nm范围内各钛酸钡薄膜的折射率和消光系数,可以得到,其禁带宽度随着掺Zn或掺Mn量的变化而变化.对薄膜的铁电性能进行研究表明,Zn-Mn钛酸钡具有良好的铁电性,其剩余极化值为11.26μC/cm2,说明微量的Zn-Mn共掺可以增强薄膜的铁电性.; 高婉丽邓红梅杨平雄褚君浩; 关键词：溶胶-凝胶法光学性质铁电性能

外压调制下ZnO晶体结构与光学性质变化特性的研究被引量：6: 2010年; 为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响,采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射率等的变化特性进行了模拟计算研究。计算结果表明:随着压力的增大,晶体的晶格常数、晶胞体积缓慢变小,内坐标u值逐渐增大,Zn-O键长缩短,共价性增强,带隙E_g明显展宽。光学特性谱显示不同外压对低能段光学性质的影响并不明显,而在高能段,随着压力的增大光学性质发生明显的蓝移。; 胡智向吴玉喜顾书林李腾渠立成; 关键词：第一性原理光学性质调制

真空退火对ZnMnO：N物理特性影响的研究: 2012年; 利用金属有机源化学气相沉积(MOCVD)技术,在蓝宝石上外延了Mn-N共掺ZnO薄膜,同时,将得到的ZnMnO:N样品分别在700,900和1100°C的温度下进行真空退火处理.X射线衍射(XRD)显示真空退火使薄膜样品的晶格质量变差,但样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的拉曼光谱(Raman)和光致发光谱(PL)光学表征显示真空退火使得样品中氧空位(VO)增多.对NT,Mn共掺ZnO晶体的第一性原理模拟计算揭示了N,Mn共掺ZnO的态密度存在较强的p-d相互作用,产生磁矩.一旦引入氧空位(VO)后,费米能级上移,p-d相互作用消失,磁矩减小甚至消失.实验表征分析与模拟计算结果一致:对于N,Mn共掺ZnO薄膜样品,引入氧空位(VO)后,铁磁性减弱.因此,Mn3d电子与N2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子(BMP)决定了磁性相互作用的产生.; 孙霞吴孔平顾书林黄时敏朱顺明; 关键词：磁化

非故意掺杂碳对ZnMnO:N磁性影响的实验与理论研究: 2012年; 利用金属有机源化学气相沉积技术,通过改变受主掺杂源和导入氢气并提高生长压力来逐步抑制C的办法,在蓝宝石上外延了Mn,N共掺ZnO薄膜.X射线衍射显示所有样品都具有良好的单轴取向.ZnMnO:N样品的Raman光谱中C元素相关的振动模明显消失.同时van der Pauw法Hall效应测量表明,通过逐步对C的抑制,样品由n型导电转变成p型导电,这主要是由于C与N形成复合体取代O位(CN)_O,具有最低形成能且充当浅施主.对N,Mn共掺ZnO晶体的第一性原理模拟计算显示了N,Mn共掺ZnO的态密度在Fermi能级处存在较强的自旋极化,表明N 2p电子与Mn 3d电子之间存在较强的p-d相互作用,形成磁性束缚激子产生磁矩.一旦引入C后,C,N形成复合体取代O位,导致体系磁性减弱或者消失.模拟计算结果与实验表征分析结果一致表明:对于Mn,N共掺ZnO薄膜样品,引入C与N形成复合体取代O位,Mn,N共掺ZnO薄膜磁性减弱或消失.因此,Mn 3d电子与N 2p局域束缚的电子形成的磁性束缚激子决定了Mn,N共掺ZnO薄膜室温铁磁信号的产生.; 吴孔平顾书林朱顺明黄友锐周孟然; 关键词：稀磁半导体铁磁性第一性原理

Sc掺杂ZnO的电子结构和光学性质的影响被引量：7: 2011年; 本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,研究了Sc掺杂ZnO体系的晶体结构、电子结构和光学性质.在对Sc掺杂结构优化的基础上对其进行了数值模拟计算,结果表明:随着Sc原子的掺入,体系的晶格常数稍微变大,键长变长,体积变大,系统总能增大,费米能级进入导带,体系逐渐呈金属性,带隙变宽且随着掺杂浓度增大而增大.另一方面,掺杂后ZnO的光学性质也发生了一定变化,ZnO吸收谱中出现了新的吸收峰,吸收边蓝移,同时介电函数虚部也出现了新的波峰.; 吴玉喜张昊韩龙顾书林渠立成李腾; 关键词：氧化锌掺杂第一性原理光学性质

MOCVD法生长ZnO薄膜时氧源t-BuOH和H2O的比较研究: 2012年; 以活性较低的叔丁醇(t-BuOH)和水(H2O)作为氧源,采用MOCVD技术生长了ZnO薄膜。研究发现,t-BuOH作为氧源可以有效地抑制其与锌源之间的气相预反应,比H2O作为氧源进行ZnO薄膜的外延生长具有更高的生长速率,得到的ZnO薄膜晶体质量更优,同时载流子的迁移率可以达到37.0 cm2.V-1.s-1,表明t-BuOH更适合作为氧源通过MOCVD系统生长ZnO薄膜。; 朱顺明黄时敏顾书林朱振邦顾然郑有炓

覆银硅微通道板用于三维锂离子电池负极研究: 2013年; 采用光辅助电化学刻蚀和无电镀银方法,制备出一种可用于三维锂离子电池的覆银硅微通道板(Ag/Si-MCP)负极结构.利用XRD和扫描电镜(SEM)对材料特性进行表征;并在氩气氛保护下以锂片为对电极封装为CR2025半电池,采用恒流充放电测试、循环伏安法(CV)及交流阻抗法(EIS),对银覆盖层对电极性能的影响进行了细致的分析.在0.02 V～1.5 V电位(vs.Li+/Li)范围内以10 mA·g^(-1)电流密度进行恒流充放电测试.样品在首次充电(硅的锂合金化)过程中获得高达3 484.7 mAh·g^(-1)的比容量值,且在首次充放电循环中库仑效率达到95.97%.并在随后的循环中,表现出优于未经覆银处理的硅微通道电极的性能.; 王斐徐少辉祝珊珊楼薛锋惠珂霜杨平雄王连卫; 关键词：锂离子电池负极

Si掺杂对缺陷诱导的GaN磁性的影响: 2011年; 利用第一性原理局域密度自旋近似方法,研究了缺陷诱导的GaN的内禀磁性以及Si掺杂对缺陷GaN磁性的影响.研究发现缺陷诱导GaN的内禀磁矩为3μB,Si掺杂后缺陷诱导的GaN磁矩发生淬灭为2μB.随Si含量的增加磁矩进一步减少.该理论结果对实验有指导意义.; 张蕾邢怀中黄燕张会媛王基庆; 关键词：第一性原理磁性

稀土元素(Y,La)掺杂ZnO的电子结构和光学性质被引量：33: 2011年; 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了未掺杂ZnO和稀土(Y,La)掺杂ZnO体系的空间结构、能带、电子态密度与光学性质.结果表明,掺杂后体系的形成能减小,稳定性变强,带隙展宽,费米能级进入导带中,体系呈金属性,载流子发生简并,形成简并半导体.定性分析了掺杂后光学性质的变化.; 吴玉喜胡智向顾书林渠立成李腾张昊; 关键词：氧化锌第一性原理

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