中央高校基本科研业务费专项资金(K5051205001)
- 作品数：2 被引量：5H指数：1
- 相关作者：刘德连韩亮张涛陈仙赵玉清更多>>
- 相关机构：西安电子科技大学中国电子科技集团第五十八研究所西安交通大学更多>>
- 发文基金：中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学更多>>
- 磁过滤阴极电弧技术沉积高sp^3键含量四面体非晶碳薄膜的工艺优化研究被引量：4
- 2013年
- 通过对不同基片偏压下磁过滤器电流对四面体非晶碳(ta-C)薄膜sp3键含量影响的研究,探讨了磁过滤阴极电弧技术制备高sp3键ta-C薄膜优化工艺条件。在不同的基片偏压下,薄膜沉积率随着磁过滤器电流增大而增大。当基片偏压为200 V时,磁过滤器电流从5A增大至13 A,ID/IG从0.18增加到0.39;当基片偏压500V时,ID/IG从1.3增加到2.0;证明随着磁过滤器电流的增大,薄膜中的sp3键含量在减少,sp2键及sp2团簇在逐渐增加。研究表明除了基片偏压,ta-C薄膜sp3键含量与制备工艺中磁过滤电流也具有及其密切的关联.因此,基片偏压与磁过滤器电流是ta-C薄膜制备中需要优化的工艺条件。优化和选择合适的基片偏压与磁过滤器电流对ta-C薄膜的大规模工业化生产应用具有极其重要的意义。
- 韩亮张涛刘德连
- 关键词：四面体非晶碳拉曼光谱
- 氮化铬过渡层对四面体非晶碳薄膜在高速钢基底上附着特性影响的研究被引量：1
- 2013年
- 利用磁过滤阴极电弧与磁控溅射相结合的薄膜沉积技术在高速钢基底上制备了氮化铬/四面体非晶碳(CrN/ta-C)复合涂层,通过改变过渡层氮化铬(CrN)的制备工艺,研究了四面体非晶碳(ta-C)薄膜在钢基底材料上的附着特性的变化.结果表明,随着氮气流量的增大,CrN/ta-C复合涂层中的氮化铬经过了Cr-Cr2N-CrN的相变过程.同时涂层的附着力也随着氮气流量的增大而增加,但是当氮气流量超过30sccm时,涂层附着力会有所下降;通过改变基片偏压,复合涂层中氮化铬的择优取向与晶粒结构发生改变,随着偏压的增大,涂层附着力也会大大改善,但是当偏压超过200V,涂层附着特性会略微降低.通过涂层耐磨性的测试也表明,在高速钢基底上,CrN涂层能显著提高ta-C薄膜在高速钢基底上的附着力,同时显著提高耐磨特性.
- 韩亮刘德连陈仙赵玉清
- 关键词：附着力X射线衍射拉曼光谱
