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国家重点基础研究发展计划(2006CB932400)

作品数：2 被引量：6H指数：2
相关作者：梁学磊张志勇彭练矛王胜陈清更多>>
相关机构：北京大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 2篇碳纳米管
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米管
  • 1篇一维纳米
  • 1篇一维纳米材料
  • 1篇扫描电子显微...
  • 1篇碳纳米管材料
  • 1篇维纳米材料
  • 1篇纳米材料
  • 1篇CMOS技术

机构

  • 2篇北京大学

作者

  • 2篇陈清
  • 2篇王胜
  • 2篇彭练矛
  • 2篇张志勇
  • 2篇梁学磊
  • 1篇高旻
  • 1篇胡又凡
  • 1篇姚昆

传媒

  • 1篇电子显微学报
  • 1篇中国科学（G...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
碳纳米管材料和碳纳米管基器件的扫描电镜成像被引量：4
2007年
本文探讨了在扫描电镜中单壁碳纳米管的成像问题。一般情况下碳纳米管的像衬度随入射电子能量,扫描速度,样品基底和环境而变,情况非常复杂。但在一定厚度的SiO2绝缘基底上且与金属电极相连的单壁碳纳米管的成像机理则相对简单。单壁碳纳米管像衬度的贡献主要来源于二次电子而不是背散射电子。像衬度产生的机理主要为SiO2绝缘基底在成像过程中的电荷积累导致的表面电势的变化对于碳纳米管以及周围SiO2基底二次电子发射效率的影响。
彭练矛王胜梁学磊张志勇姚昆胡又凡高旻陈清
关键词：扫描电子显微镜碳纳米管
后摩尔时代的基于一维纳米材料的CMOS技术被引量：2
2008年
基于碳纳米管的场效应晶体管技术源于1998年,在随后的近10年间p型(空穴型)场效应晶体管的制备技术日趋完善,其性能全面超过相对应的硅基场效应晶体管.最近北京大学研究组关于高性能室温弹道n型(电子型)碳纳米管场效应晶体管的研究为基于碳纳米管的CMOS(complementary metal-oxide-semiconductor)技术的腾飞装上了另一个翅膀.特别是这种技术无需掺杂,加上碳纳米管特殊的几何和电子结构使得基于碳纳米管的CMOS技术有望突破传统微电子工艺所面临的一些根本性的困难,为下一步实现基于碳纳米管的纳电子电路的规模集成奠定了基础.
彭练矛梁学磊陈清张志勇王胜
关键词：碳纳米管
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