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国家自然科学基金(60576037)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：霍海滨马仁敏戴伦秦国刚杨卫全更多>>
相关机构：北京大学更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电致发光
  • 1篇氧化锌纳米
  • 1篇氧化锌纳米线
  • 1篇异质结
  • 1篇紫外
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米线
  • 1篇发光
  • 1篇SI异质结
  • 1篇ZNO纳米
  • 1篇ZNO纳米线

机构

  • 1篇北京大学

作者

  • 1篇杨卫全
  • 1篇秦国刚
  • 1篇戴伦
  • 1篇马仁敏
  • 1篇霍海滨

传媒

  • 1篇北京大学学报...

年份

  • 1篇2008
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
单根In掺杂的n-ZnO纳米线/p^＋-Si异质结的紫外电致发光被引量：1
2008年
采用化学气相沉积的方法在In0.1Ga0.9N衬底上生长出In掺杂的n-ZnO纳米线阵列。电学输运测量得到单根n-ZnO纳米线的电阻率为0.001Ωcm,比同样方法在GaN衬底上生长的ZnO纳米线低约20倍。这个结果表明来自于In0.1Ga0.9N衬底中的In原子在高温生长过程中可能被掺入ZnO纳米线。制备成功单根n-ZnO纳米线/p+-Si异质结构并研究了其电致发光特性。室温下电致发光光谱中可以看到一个窄的ZnO激子峰(约380nm)和一个中心位于700nm的来自Si衬底表面自然氧化硅发光中心的发光峰。
霍海滨杨卫全戴伦马仁敏秦国刚
关键词：电致发光氧化锌纳米线异质结
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