陕西省科学技术研究发展计划项目(2001K07-G4)
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 相关作者：翟春雪张志勇王雪文赵武阎军锋更多>>
- 相关机构：西北大学更多>>
- 发文基金：陕西省科学技术研究发展计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 热处理对纳米金刚石涂层场发射性能的影响(英文)被引量：5
- 2008年
- 用旋涂法在金属钛衬底上涂敷纳米金刚石,经过适当的热处理形成金刚石涂层与金属钛衬底的化学键合,即形成衬底与涂层之间的过渡层,从而为纳米金刚石颗粒提供电子,使其成为有效的发射体。用扫描电镜、原子力显微镜、X射线衍射和拉曼散射等手段分析了温度对键合效果以及场发射性能的影响,温度过高或过低都不利于提高纳米金刚石涂层的场发射性能,只有在700℃左右对样品进行热处理,才能得到较好的键合状态。改变涂膜时旋涂的次数以获得不同涂层厚度的样品,对其在700℃的相同温度下进行热处理,发现涂层过厚或过薄都不利于样品发射性能的提高。旋涂9次并于700℃热处理的样品具有较好的场发射性能,其发射阈值场强可达4.6V/μm,而15.3V/μm场强下的电流密度为59.7μA/cm2。
- 翟春雪张志勇王雪文赵武
- 关键词：场发射热退火键合
- 钛基纳米金刚石涂层场发射阴极被引量：12
- 2007年
- 设计了一种新的金刚石场发射阴极工艺.用旋涂法在金属钛片上涂覆纳米金刚石涂层,经过适当条件的真空热处理,实现钛与金刚石之间的化学键合即欧姆接触,从而形成以金属钛为衬底,碳化钛键合层为过渡层,金刚石纳米颗粒为场发射体的场发射阴极.样品的阈值场强可达6.3 V/μm,场发射电流密度在21 V/μm场强下可达到60.7μA/cm2.提出了样品的结构模型,并分析了其电子输运方式.样品的Fowler-Nordheim曲线基本为一直线,根据经典场发射理论,可以证实其电子发射机制为场发射.观察到在获得稳定的场发射性能之前存在激发过程,并对其作了简单解释.
- 翟春雪张志勇王雪文赵武阎军锋
- 关键词：半导体材料场发射阴极键合纳米金刚石
- 金刚石粉阴极的均匀性及其场发射性能研究被引量：2
- 2006年
- 目的研究金刚石场发射阴极处理工艺对场发射电流和阈值电压的影响。方法设计了一个将金刚石粉热粘到金属钛表面的工艺,用XRD和SEM分析不同的金刚石纳米粉超声分散液时热粘结的状况:研究样品的场发射性能。结果用丙酮分散时的粘结表面非常均匀;经氢等离子体处理的表面均匀样品场发射阈值电压为0．5V／μm。结论丙酮分散的纳米金刚石粉热粘接到钛金属表面构成的金刚石粉场发射阴极可以降低发射阈值电压;不同等离子体处理工艺可以改变场发射电流。
- 邓周虎王雪文翟春雪赵武阎军峰张志勇
- 关键词：阈值电压场发射阴极
- 钛基纳米金刚石涂层场发射阴极的工艺改进被引量：3
- 2007年
- 钛基纳米金刚石涂层场发射阴极适于大面积制备,但原始工艺制备出的样品场发射性能较低.为提高样品的性能,对原始工艺进行了改进:首先,改变分散液成分,在原分散液中加入表面活性剂以改善金刚石纳米粉的分散效果;其次,改变真空热处理(HFCVD)系统的热丝结构使样品热处理时的温度场更加均匀;最后,在原工艺基础上增加表面处理环节,用射频氢等离子体对金刚石纳米粉涂层进行表面处理以降低样品的场发射阈值.经过工艺改进,样品的阈值场强由6.3 V/μm降低至1.9 V/μm,在17.6 V/μm场强下的场发射电流密度由56.1μA/cm2提高到61μA/cm2.
- 翟春雪张志勇王雪文秦坤
- 关键词：场发射阴极表面活性剂
