国家自然科学基金(60371030)
- 作品数：18 被引量：79H指数：6
- 相关作者：胡明杨海波吕宇强张伟崔梦更多>>
- 相关机构：天津大学中国电子科技集团公司天津师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金天津市自然科学基金天津市应用基础与前沿技术研究计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术机械工程更多>>
- 热红外探测器的最新进展被引量：19
- 2006年
- 对基于热敏电阻的微测辐射热计和基于热释电效应的热释电红外探测器在探测元材料、焦平面阵列(FPA)结构和读出电路(ROIC)3个方面进行了分析对比,讨论了这两种非制冷探测器热电材料的选取原则,FPA单元的热绝缘构造和读出电路的组成方式,并介绍了它们的最新进展和发展方向。
- 吕宇强胡明吴淼张之圣刘志刚
- 关键词：红外探测器微测辐射热计热释电焦平面阵列热绝缘
- 基于纳米压痕法的多孔硅硬度及杨氏模量与微观结构关系研究被引量：7
- 2007年
- 采用电化学腐蚀制备多孔硅,利用场致发射扫描式电子显微镜(field emission scanning electron microscope,FESEM)观测多孔硅的二维微观形貌,利用Nano Indenter XP中的纳米轮廓扫描仪组件(nano profilometry,NP)得到其三维拓扑分析图像,分析了微观结构差异的原因并讨论了多孔硅内部微观结构对其机械性能的影响;利用MTSNano Indenter XP纳米压入测量仪器,研究了多孔硅的显微硬度和杨氏模量随压入深度的变化规律,比较了不同孔隙率多孔硅的机械性能差别.实验结果测得40mA/cm2,60mA/cm2,80mA/cm2和100mA/cm2四个不同腐蚀电流密度条件下制备多孔硅样品的孔隙率在60%-80%范围内,孔隙率随着腐蚀电流密度的增加而增大;在氢氟酸(HF)浓度为20%的条件下制备出多孔硅样品的厚度在40μm-50μm范围内;测得多孔硅的平均硬度、平均杨氏模量分别在0.478GPa-1.171GPa和10.912GPa-17.15GPa范围内,并且其数值随腐蚀电流密度的增加而减小,在纳米硬度范围内随压入深度的增加而减小,在显微硬度范围内其数值保持相对恒定,分析了样品表面、厚度、微观结构,及环境对其机械性能的影响,得到了多孔硅力学性能随其微观尺度形貌的变化规律.
- 杨海波胡明张伟张绪瑞李德军王明霞
- 关键词：多孔硅微观结构杨氏模量
- 应用于微电子机械系统中多孔硅的研究
- 针对多孔硅在MEMS中作为牺牲层和绝热层的应用,主要研究了电化学腐蚀法制备多孔硅的实验条件与多孔硅深度及其孔隙率间的关系,实验发现电化学腐蚀法制备多孔硅的腐蚀速率在腐蚀前期阶段基本是一定值(电流密度为80mA/cm2时为...
- 崔梦胡明雷振坤窦雁威田斌
- 关键词：多孔硅微电子机械系统腐蚀速率孔隙率残余应力
- 文献传递
- 双槽电化学腐蚀法制备介孔硅的热导率被引量：1
- 2007年
- 提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型,对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析,得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备孔隙率分别为62%和79%的介孔硅,微喇曼光谱技术测量所制备的介孔硅的热导率为8.315和0.949W/(m·K).SEM分析表明,孔隙率为62%和79%的介孔硅的平均特征尺寸分别为10nm和5nm.应用计算介孔硅有效热导率的公式,得到孔隙率为62%,平均特征尺寸为10nm和孔隙率为79%,平均特征尺寸为5nm的介孔硅层的有效热导率理论值为10.753和1.035W/(m·K).研究分析表明,理论计算与所获得的实验数据一致.介孔硅极低的热导率使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于微传感器和微电子机械系统中.
- 房振乾胡明张伟张旭瑞杨海波
- 关键词：有效热导率微传感器微电子机械系统
- CMOS MEMS技术的现状及展望被引量：4
- 2004年
- 简要介绍了MEMS的发展状况及CMOS工艺在MEMS中的地位。主要介绍了pre-CMOS,interme-diate-CMOS和post-CMOS三种不同的CMOSMEMS工艺。详细讨论了CMOSMEMS今后将面临的挑战及其未来应用领域,最后,根据国内情况对我国CMOSMEMS的发展提出了建议。
- 胡明崔梦田斌窦燕巍
- 关键词：CMOSMEMS技术
- MEMS中多孔硅绝热技术被引量：10
- 2005年
- 主要介绍了多孔硅的制备方法(化学法、电化学法及原电池法等)、多孔硅导热系数测试的几种常用手段(温度传感器法、显微拉曼散射法及光声法等)、导热系数的理论模型及影响因素.此外,采用不同方法制备了多孔硅样品,分析了其表面形貌并用显微拉曼光谱法测定了导热系数.结果发现,化学法制备的多孔硅孔径尺寸大于微米量级,而利用大孔硅电化学和原电池法得到的样品孔径尺寸小(约20nm),属于介孔硅.由于腐蚀条件的不同,多孔硅的孔隙率和厚度也不同,多孔硅的导热系数随孔隙率和厚度的增大而迅速减小.
- 窦雁巍胡明宗杨崔梦
- 关键词：多孔硅MEMS拉曼光谱法化学法制备显微拉曼散射法
- 基于微结构参数建模的多孔硅绝热层热导率研究被引量：1
- 2010年
- 多孔硅由于具有较低的热导率,因而可以将其作为半导体器件中的绝热层.与其他从边界散射等复杂微观热传导机制出发建模研究多孔硅的热导率不同,将多孔硅热导率影响机制更表观地归结到孔洞的存在和分布等结构因素上,把整个多孔硅视为由硅连续材料介质和孔洞连续介质通过串联和并联组合成的复合微结构,给予其低热导率一个更为易于理解和简化的解释.进一步把孔隙率对等效热导率的影响分解为两个不同的部分,即纵向部分和横向部分,半定量地给出不同的孔洞结构和分布下孔隙率与等效热导率的关系.与实验数据进行对比后验证了模型的有效性.继而从结构的角度说明了多孔硅热导率较低的原因.
- 许路加胡明杨海波杨孟琳张洁
- 关键词：多孔硅热导率绝热层孔隙率
- (001)SrTiO_3衬底上的Ba_(0.7)Sr(0.3)TiO_3/YBa_2Cu_3O_(7-δ)外延生长薄膜的界面结构研究
- 2004年
- 本文利用透射电子显微学和高分辨电子显微学研究了SrTiO3衬底上的Ba0 7Sr0 3TiO3 YBa2Cu3O7-δ(BST YBCO)外延薄膜的界面结构。结果表明在BST YBCO界面形成了阶梯(step terrace)结构,同时BST外延膜生长良好。在YBCO薄膜表面形成梯形结构后,也可能按照台阶生长(step flow)模型生长出完好的BST薄膜。
- 齐笑迎杨浩孔祥胡桂青段晓峰赵柏儒
- 关键词：结构参数
- MEMS技术在非制冷热红外探测器中的应用被引量：1
- 2007年
- 微机电系统(MEMS)技术是以实现机电一体化为目标的一项新兴技术,它在红外器件制作中的引入为非制冷红外探测器的实用化开辟了新的途径。目前,应用MEMS技术制作的主要有微测辐射热计微桥结构和微悬臂红外探测器双层悬臂结构2种。对它们各自的工作原理、组成结构、MEMS工艺实现以及发展方向作了较为详细的阐述。
- 胡明吕宇强颜海洋吴淼
- 关键词：微机电系统红外探测器微悬臂
- RF溅射法制备PZT铁电薄膜及其表征被引量：4
- 2006年
- 采用对靶溅射法在SiO2/Si基板上沉积Pt/Ti底电极,用射频(RF)溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si基板上制备了厚度约800 nm的PZT薄膜。XRD分析表明,Ar气氛中沉积,700℃下快速退火(RTA)20 min所得的PZT薄膜具有钙钛矿结构;SEM、AFM分析表明,该条件下所得薄膜的表面由平均粒径约219 nm的晶粒组成,较为均匀、致密。在1 kHz的测试频率下,PZT薄膜的介电常数为327.6,从电滞回线上可以得出,该PZT薄膜的矫顽场强为50 kV/cm,剩余极化强度和自发极化强度分别为10μC/cm2、13μC/cm2。
- 李海燕张之圣胡明樊攀峰王秀宇刘志刚
- 关键词：射频溅射钙钛矿结构电滞回线
