国家自然科学基金(60576063)
- 作品数：14 被引量：53H指数：5
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- 相关机构：浙江大学杭州电子科技大学河南大学更多>>
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- 相关领域：理学电子电信自动化与计算机技术化学工程更多>>
- 利用HRXRD和UV-Vis反射光谱确定AlGaN/GaN/Al2O3的结构与成分被引量：1
- 2008年
- 结合紫外-可见光谱和高分辨XRD两种测试方法,无损、可靠地确定了AlGaN/GaN HEMT结构内各层的厚度、成分、应力等参数,解决了高分辨XRD无法同时确定成分与应力的难题。这两种方法的好处是样品不需经过特殊的处理,也不需进行切割、减薄等工艺,具有快速、无损、准确的特点,可以作为AlGaN/GaNHEMT器件的筛选工具,提高器件的成品率、降低生产成本。
- 季振国冯丹丹席俊华毛启楠袁苑郝芳陈敏梅
- 关键词：X射线衍射无损检测
- 基于柱状ZnO薄膜的超低阈值电压压敏电阻被引量：6
- 2009年
- 利用磁控溅射法在玻璃衬底上制备了基于柱状ZnO薄膜的Al-ZnO-Al三明治结构的超低阈值电压的压敏电阻。XRD和SEM测试结果表明,该压敏电阻中的ZnO薄膜层为结晶性能良好,并且沿ZnO的(002)晶面择优取向生长的柱状薄膜。I-V测试结果表明,这种由柱状ZnO薄膜构成的压敏电阻阈值电压仅3.2 V,为现有压敏电阻中阈值电压最低的压敏电阻。
- 季振国黄东席俊华柯伟青周荣富
- 关键词：氧化锌压敏电阻
- 激光诱导击穿光谱及其在元素分析中的应用被引量：11
- 2011年
- 激光诱导击穿光谱是一种新的元素分析方法,但仍处于不断完善之中。利用它可以分析不同形态样品的成分,因此在成分分析和微量元素检测方面具有重要的应用前景。本文阐述了激光击穿诱导光谱仪的基本原理和激光诱导击穿光谱在多个领域中的应用,研究内容涉及固体样品、液体样品、气体样品、微量杂质分析和成分深度剖析等,并分析了基体效应、自吸收效应、测量时间、环境气体、激光参数等对激光诱导击穿光谱分析结果的影响。
- 季振国李铁强席俊华毛启楠
- 关键词：激光诱导击穿光谱激光紫外-可见光谱
- 一种基于锡锑氧化物的透明PN结及整流特性(英文)
- 2009年
- 利用反应磁控溅射法制备了半导体锡锑氧化物薄膜(TAO).根据霍尔效应测试结果,当Sn/Sb原子比处于0.22～0.33范围内时,TAO薄膜是p型导电的,在此范围之外,TAO薄膜是n型导电的.光学带隙测量结果表明,不同Sn/Sb比的TAO薄膜的禁带宽度基本相同(～3.9eV).构造了一个全透明的PN结,其中n区为Sn/Sb原子比为0.5的TAO薄膜,p区为Sn/Sb原子比为0.33的TAO薄膜.n区TAO的电极用铟锡氧化物(ITO),p区TAO的电极用Cu薄膜.实验结果表明,由于两种导电类型的TAO薄膜具有相同的禁带宽度,上述透明PN结构具有典型的准同质PN结的整流特性.
- 季振国周荣福毛启楠霍丽娟曹虹
- 关键词：PN结
- TiO_2薄膜的制备及其压敏特性研究
- 2010年
- 对热氧化制备的TiO2薄膜的低压压敏特性进行了研究。首先利用直流磁控溅射方法在重掺Si衬底上沉积一层金属钛膜,然后在退火炉中热氧化得到TiO2薄膜。XRD分析结果表明,Ti金属膜热氧化所得的TiO2薄膜为金红石结构,当热氧化温度600～800℃时呈现(200)择优取向性。I-V测试结果表明,择优取向的TiO2薄膜相对非择优取向的TiO2薄膜具有更高的压敏阈值电压。进一步分析表明,阈值电压与择优取向性的关系起源于薄膜厚度的变化。
- 季振国周丽萍毛启楠
- 关键词：二氧化钛压敏特性厚度
- 氧化锌薄膜紫外光电导机理研究被引量：9
- 2006年
- 分别采用反应磁控溅射和金属锌膜空气中热氧化两种方法,制备了两种氧化锌薄膜。X射线衍射实验发现,反应磁控溅射法制备的氧化锌薄膜结晶性能好,具有很高的c轴取向性,而金属锌膜热氧化法制备的氧化锌薄膜结晶性能相对较差,晶粒取向呈随机分布。对上述两种氧化锌薄膜进行了光电导测试,结果表明,反应磁控溅射制备的氧化锌薄膜的电阻率很高,没有明显的光电导,而金属锌膜氧化法制得的氧化锌薄膜电阻率较小,光电导现象非常明显。进一步分析结果表明,金属锌膜热氧化制备的氧化锌薄膜的光电导主要来自于表面吸附气体的吸附与解吸。
- 李琳季振国张亚红韩伟智
- 关键词：ZNO磁控溅射
- 衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
- 2007年
- 利用直流反应磁控溅射法(纯金属锌作为靶材,Ar-N2-O2混合气体作为溅射气体)在石英玻璃衬底上制备了N掺杂p型ZnO薄膜。通过XRD、Hall和紫外可见透射谱分别研究了衬底温度对ZnO薄膜结构性能、电学性能和光学性能的影响。XRD结果显示所有制备的薄膜都具有垂直于衬底的c轴择优取向,并且随着衬底温度的增加,薄膜的晶体质量得到了提高。Hall测试表明衬底温度对p型ZnO薄膜的电阻率具有较大影响,400℃下生长的p型ZnO薄膜由于具有较高的迁移率(1.32 cm2/Vs)和载流子浓度(5.58×1017cm-3),因此表现出了最小的电阻率(8.44Ω.cm)。
- 王超季振国韩玮智席俊华张品
- 关键词：ZNO薄膜P型直流反应磁控溅射
- Ⅲ族元素掺杂对SnO_2电子结构及电学性能的影响被引量：15
- 2007年
- 采用密度泛函理论研究了Ⅲ族元素掺杂对SnO2电子结构及电学性能的影响.态密度分析结果表明,以替代位存在的Ⅲ族杂质均使SnO2的费米能级明显向低能态方向移动,使得价带顶不完全填满,因此在SnO2中均充当受主作用.部分态密度分析结果表明,相对于掺Al的SnO2,Ⅲ族元素中的Ga及In对费米能级附近态密度贡献较大,其主要贡献来自Ga3d态或In4d态,这预示着在SnO2中掺Ga或In能实现更好的p型掺杂效果.电离能计算结果进一步表明,在Al,Ga及In三种元素中,替位In有最小的电离能(0.06eV),这说明其在SnO2中能形成最浅的受主能级,因而在同等掺杂情况下,可引入最高浓度的空穴,从而实现最佳的p型掺杂效果.
- 杜娟季振国
- 关键词：密度泛函理论SNO2电子结构
- 薄膜厚度对Au/ZnO/n^+-Si薄膜压敏电阻器阈值电压的影响
- 2011年
- 本文采用直流磁控溅射法和多次沉积与掩膜技术,在n+Si(100)衬底上制备了一系列厚度不同的ZnO薄膜,表面镀Au的探针与ZnO/n+-Si构成了一系列ZnO层厚不同的Au/ZnO/n+-Si薄膜压敏电阻器。利用X射线衍射确定沉积的ZnO薄膜为高度c轴(0002)取向的晶体薄膜,利用紫外-可见透射光谱对沉积的ZnO薄膜的厚度进行了定标。分别测量了不同厚度的处Au/ZnO/n+-Si结构的I-V特性曲线,从而得到了阈值电压与ZnO薄膜厚度之间的关系。结果表明:随着ZnO薄膜厚度的增加,Au/ZnO/n+-Si压敏电阻器的阈值电压线性增大。因此,可以通过控制ZnO层的厚度精确控制压敏电阻器的阈值电压。
- 季振国王玮丽毛启楠席俊华
- 关键词：压敏电阻器阈值电压薄膜厚度
- 电阻开关式非挥发性随机存储器的机理及其材料被引量：8
- 2011年
- 在众多新型非挥发存储器中,电阻式存储器具有结构简单,存储密度高,读写速度快,数据保持时间长,制作方法与传统CMOS工艺兼容性好等优点成为研究的热点。本文简要回顾了电阻式存储器器件的结构、机制、材料以及制备方法,并讨论了电阻式存储器的单极性和双极性电阻开关特性,最后着重介绍了电阻开关特性的块体主导机制和界面主导机制。
- 季振国陈伟峰毛启楠
- 关键词：非挥发性随机存储器电阻开关
