模拟集成电路国家重点实验室开放基金(51439010303DZ0221)
- 作品数：2 被引量：13H指数：2
- 相关作者：杨谟华刘源王向展宁宁罗静芳更多>>
- 相关机构：电子科技大学中国电子科技集团公司第二十四研究所更多>>
- 发文基金：模拟集成电路国家重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 新型高速低功耗CMOS预放大锁存比较器被引量：11
- 2006年
- 基于预放大锁存快速比较理论,提出了一种新型高速低功耗CMOS比较器的电路拓扑。采用典型的0.35μm/3.3 V硅CMOS工艺模型,用Cadence软件进行模拟仿真,比较器延迟时间为231 ps,比优化前降低了235 ps;其回馈噪声对输入信号和电阻串参考电压产生的毛刺峰值分别为6.35 mV和1.57 mV;电路功耗118.6μW。运用该结构的比较器具有快速过驱动恢复能力,大幅度提高了比较器的速度;能有效抑制其回馈噪声,功耗低,可用于高速低功耗A/D转换器模块的设计。
- 杨赟秀罗静芳宁宁于奇王向展刘源吴霜毅杨谟华
- 关键词：低功耗延迟时间
- 薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs(英文)被引量：2
- 2005年
- 成功地试制出薄虚拟SiGe衬底上的应变Si pMOSFETs.利用分子束外延技术在100nm低温Si(LT- Si)缓冲层上生长的弛豫虚拟Si0.8Ge0.2衬底可减薄至240nm.低温Si缓冲层用于释放虚拟SiGe衬底的应力,使其应变弛豫.X射线双晶衍射和原子力显微镜测试表明:虚拟SiGe 衬底的应变弛豫度为85%,表面平均粗糙度仅为1. 02nm.在室温下,应变Si pMOSFETs的最大迁移率达到140cm2/(V·s).器件性能略优于采用几微米厚虚拟SiGe衬底的器件.
- 李竞春谭静杨谟华张静徐婉静
- 关键词：应变硅
