国家杰出青年科学基金(59925205)
- 作品数：8 被引量：5H指数：2
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- 新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
- 2007年
- 采用有限元方法，通过ANSYS软件模拟了体硅衬底上和SOI衬底上生长的GaN外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况。模拟结果表明SOI衬底作为一种柔性衬底，能有效减少异质外延的晶格失配，但是单从热失配的角度，由于引入了热膨胀系数（CET）更小的埋层SiO2，SOI衬底会使得外延层热应力略有增大。为了降低外延层中的热应力，我们结合微机电系统（MEMS）的制造工艺，用深反应离子刻蚀（DRIE）的方法，借助于SOI材料自停止刻蚀的优势，将衬底硅和埋氧去除，使得SOI的超薄顶层硅部分悬空，形成一种新型的SOI衬底。模拟结果表明，这种新型SOI衬底可以将GaN外延层中的热应力降低20％左右。
- 王曦孙佳胤武爱民陈静王曦1
- 关键词：GANSOI热应力MEMS
- 氢氧复合注入对SOI-SIMOX埋层结构影响的研究
- 2003年
- 实验研究了氢、氧复合注入对注氧隔离技术制备SOI(SiliconOnInsulator)材料埋层结构的影响。用截面透射电子显微镜和二次离子质谱技术分析了退火前后材料的微结构变化。研究表明,氢离子的注入有利于注氧隔离制备的SOI材料埋层的增宽。进一步的结果表明,室温氢离子注入导致的增宽效应比高温注入明显。
- 易万兵陈猛陈静王湘刘相华王曦
- 关键词：注氧隔离
- 基于薄膜SOI材料的GaN外延生长应力释放机制
- 2007年
- 本文研究了SOI衬底上采用MOCVD方法生长GaN材料的应力释放机制。采用SIMOX工艺制备的具有薄膜顶层硅的SOI材料作为外延生长的衬底材料,采用MOSS在位检测系统以及拉曼测试作为GaN内部应力的表征手段。结果表明,SOI材料对硅基GaN异质外延中的晶格失配应力和热应力的释放都有显著作用。薄膜SOI材料通过顶层硅与外延层的界面滑移,将一部分晶格失配应力通过界面的滑移释放,并且通过柔性薄膜顶层硅自身的应力吸收作用,将一部分热失配应力转移到衬底,从而有效地降低了GaN外延层的张应力。
- 孙佳胤陈静王曦王建峰刘卫朱建军杨辉
- 关键词：氮化镓
- 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度被引量：2
- 2001年
- 用增强化学腐蚀法研究了低剂量 SIMOX- SOI材料表层硅质量与实验参数的关系 .结果表明 ,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响 .通过对注入剂量和能量的优化 ,表层硅线缺陷密度可低于 10 4cm- 2 .在注入能量为16 0 ke V时 ,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为 5 .5× 10 1 7cm- 2 左右 ,当注入剂量为 4.5× 10 1 7cm- 2 ,获得低线缺陷密度对应的注入能量为 130 ke
- 郑望陈猛陈静林梓鑫王曦
- 关键词：SOI缺陷密度硅集成电路
- 新型硅基GaN外延材料的热应力模拟
- 采用有限元方法,通过 ANSYS 软件模拟了体硅衬底上和 SOI 衬底上生长的 GaN 外延膜从1100℃的生长温度降到20℃的热应力变化情况．模拟结果表明 SOI 衬底作为一种柔性衬底,能有效减少异质外延的晶格失配,但...
- 王曦孙佳胤武爱民陈静王曦
- 关键词：GANSOI热应力MEMS
- 文献传递
- 注硅工艺对UMBOND SOI材料抗辐照性能的影响
- SOI 材料天然具有抗瞬时辐射的能力,而通过特定的改性处理后,SOI 的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI 材料主流的制备方法包括 SIMOX (注氧隔离方法)和 UNIBOND SOI(智能剥离方法制备)。在 ...
- 武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦
- 关键词：离子注入纳米晶
- 文献传递
- SOI基GaN生长中热应力的模拟计算分析
- 2008年
- 通过分析SOI基GaN生长的机制,结合热膨胀系数不同而产生应力的原理,利用弹性力学原理,我们对已有的计算多层结构应力的模型进行了简化修改,得到了能够方便的计算SOI基GaN生长过程中的热应力分布的模型。对具体样品的模拟计算表明,GaN层中张应力的值约为0.5GPa,曲率半径为9.1m。SOI结构中SiO2埋层以及顶层硅厚度变化对GaN层的热应力影响很小,但是对SOI自身各层中应力影响较大。通过合理简化模型,我们分析了蓝宝石基以及SiC基GaN生长中的热应力的分布问题。
- 杨志峰陈静孙佳胤武爱民王曦
- 关键词：SOIGAN热膨胀系数热应力
- 注硅工艺对UNIBOND SOI材料抗辐照性能的影响
- 2007年
- SOI材料天然具有抗瞬时辐射的能力，而通过特定的改性处理后，SOI的抗总剂量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制备方法包括SIMOX（注氧隔离方法）和UNIBOND SOI（智能剥离方法制备）。在SIMOX SOI的抗辐射加固领域，采用氮离子注入、氮氧共注入以及硅离子注入的方法都曾取得过很有效的结果。采用硅离子注入的方法对UNIBOND SOI进行了抗总剂量加固。采用P-MOS的表征方法对加固前后的样品进行了比较和分析，在HP-4155B半导体测试仪上得到的I-V曲线和提取的参数表明，注入的离子有效地减少了埋层中积累的正电荷得，圆片抗总剂量能力得到了大幅度提高。初步的理论分析表明是注入的硅离子形成的纳米团簇起到了俘获正电荷的作用。
- 武爱民陈静张恩霞杨慧张正选王曦
- 关键词：离子注入纳米晶
- 具有复合埋层的新型SIMON材料的制备被引量：2
- 2004年
- 采用氮氧共注入方法制备了新型的 SIMON(separation by implanted oxygen and nitrogen) SOI材料 .采用不同的制备方法分别制作出样品并进行了结构测试和分析 ,发现 SIMON材料的结构和质量对注入条件和退火工艺非常敏感 .并对各种氮氧复合注入技术做了分析和比较 。
- 易万兵陈猛张恩霞刘相华陈静董业民金波刘忠立王曦
- 关键词：SIMONSOIPACC
- 注氮工艺对SOI材料抗辐照性能的影响被引量：1
- 2005年
- 分别采用一步和分步注入的工艺制备了氧氮共注形成SOI(SIMON)材料,并对退火后的材料进行了二次离子质谱(SIMS)分析,结果发现退火之后氮原子大多数聚集在SiO2/Si界面处.为了分析材料的抗辐照加固效果,分别在不同方法制作的SIMON材料上制作了nMOS场效应晶体管,并测试了晶体管辐射前后的转移特性.实验结果表明,注氮工艺对SOI材料的抗辐照性能有显著的影响.
- 张恩霞钱聪张正选王曦张国强李宁郑中山刘忠立
- 关键词：SIMONSOI离子注入
