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聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究被引量：3: 2008年; 以聚碳硅烷（PCS）为先驱体，通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜，并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜。用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌，通过红外光谱（FTIR）分析氧化交联后薄膜的结构，通过拉曼光谱（Raman spectroscopy）、X射线衍射（XRD）与场发射高分辨透射电子显微镜（HRTEM）对薄膜进行微观分析。结果表明，熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜，其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制，薄膜的厚度大约在10～30μm。; 姚荣迁冯祖德余煜玺李思维陈立富张立同; 关键词：聚碳硅烷先驱体法碳化硅

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中国人民解放军总装备部预研基金(91040A12040107QT87)