海南省教育厅高等学校科学研究项目(Hjkj2010-21)
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 相关作者：符运良张铁民傅军缪国庆孙书娟更多>>
- 相关机构：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所海南师范大学更多>>
- 发文基金：海南省教育厅高等学校科学研究项目国家自然科学基金海南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 利用In_(0.82)Ga_(0.18)As与InP衬底之间的应力制作结构材料的缓冲层被引量：1
- 2011年
- 采用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长In0.82Ga0.18As,研究生长温度对In0.82Ga0.18As材料表面形貌、结晶质量和电学性能的影响。利用InP(100)衬底与In0.82Ga0.18As材料晶格失配所产生的应变,在不同的生长温度下应变释放程度不同,进而在In0.82Ga0.18As表面形成不同类型的缓冲层。分析不同的缓冲层对外延层In0.82Ga0.18As的影响,从而优化出最佳的生长温度。
- 张铁民缪国庆傅军符运良林红
- 关键词：金属有机化学气相淀积缓冲层
- 研究In_(0.82)Ga_(0.18)As/InP的临界厚度被引量：1
- 2011年
- 根据Matthew-Blakeslee和People-Bean的临界厚度理论,利用牛顿迭代公式,使用计算机模拟出高In组分InxGa1-xAs临界厚度的数值解,得出理论上的In0.82Ga0.18As临界厚度.使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上分别生长低于临界厚度、等于临界厚度和高于临界厚度的In0.82Ga0.18As低温层,然后在生长条件一致情况下生长In0.82Ga0.18As高温层,分析临界厚度对In0.82Ga0.18As高温层的影响.
- 张铁民缪国庆孙秋孙书娟傅军符运良
- 关键词：金属有机化学气相淀积
- 拉曼散射和X射线衍射研究In_xGa_(1-x)As材料
- 2010年
- 使用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)技术,在InP(100)衬底上生长InxGa1-xAs材料.拉曼散射研究材料的结构无序和计算材料的应力,X射线衍射研究InxGa1-xAs的组分、结晶质量、位错密度.拉曼散射可以获得材料表面特性,X射线衍射可以获得材料整体结构信息,即衬底质量,缓冲层的特性,外延层特性.
- 张铁民缪国庆傅军符运良王林茂洪丽
- 关键词：INXGA1-XAS拉曼散射X射线衍射
