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国家重点基础研究发展计划(2002CB311900)

作品数:1 被引量:5H指数:1
相关作者:郭丽伟张洁颜建锋贾海强朱学亮更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇应力
  • 1篇应力研究
  • 1篇射线衍射
  • 1篇蓝宝
  • 1篇蓝宝石
  • 1篇蓝宝石衬底
  • 1篇缓冲层
  • 1篇RAMAN谱
  • 1篇X射线衍射
  • 1篇ALN缓冲层
  • 1篇GAN薄膜
  • 1篇衬底

机构

  • 1篇中国科学院

作者

  • 1篇周均铭
  • 1篇彭铭曾
  • 1篇陈弘
  • 1篇朱学亮
  • 1篇贾海强
  • 1篇颜建锋
  • 1篇张洁
  • 1篇郭丽伟

传媒

  • 1篇Journa...

年份

  • 1篇2007
1 条 记 录,以下是 1-1
排序方式:
r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延生长a面GaN薄膜及应力研究被引量:5
2007年
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(11■0)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11■0]GaN‖[1■02]sapphire,[0001]GaN‖[■101]sapphire和[■100]GaN‖[11■0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.
颜建锋张洁郭丽伟朱学亮彭铭曾贾海强陈弘周均铭
关键词:X射线衍射RAMAN谱
共1页<1>
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