国家重点基础研究发展计划(2002CB311905)
- 作品数：23 被引量：21H指数：2
- 相关作者：张世林郭维廉梁惠来毛陆虹齐海涛更多>>
- 相关机构：天津大学中国科学院北京师范大学更多>>
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- 相关领域：电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究
- 2010年
- 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。
- 宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
- 关键词：肖特基接触
- 离子束外延技术与新材料研究
- 介绍了离子束外延（Ion-Beam Epitaxy,IBE）技术的工作原理、工艺特点以及设备的发展概况。重点阐述了IBE新材料应用研究的国内外发展现状,包括元素半导体薄膜、宽带隙化合物半导体薄膜、磁性半导体薄膜、稀土氧化...
- 杨少延柴春林刘志凯陈涌海陈诺夫王占国
- 文献传递
- 光电双向负阻晶体管的数值模拟与实验研究
- 2004年
- 光电双向负阻晶体管 (PBNRT)是一种新型S型光电负阻器件 .本文对它的光电负阻特性进行了数值模拟和实验研究 ,给出了器件等效电路 .PBNRT在光电混合工作模式下具有光控电流开关效应 ,可通过光照和控制电压两种控制方式改变器件的S型负阻特性 .模拟和实验结果均表明 :光照强度增大 ,维持电压基本保持不变 ,转折电压减小 ,负阻电压摆幅减小 ;而增大控制电压 ,维持电压和转折电压均增大 ,输出负阻特性曲线右移 .上述特点使得PBNRT可望在光电开关、光控振荡和光电探测等方面有很好的应用前景 .
- 莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
- 关键词：光控电流开关数值模拟
- 三端双向负阻晶体管的二维数值模拟及分析
- 2004年
- 对双向负阻晶体管(BNRT)的三端特性进行了数值模拟,得到了器件S型负阻曲线。根据BNRT不同工作状态下的内部电势、电子浓度和空穴浓度分布,解释了其S型负阻特性的产生机理。模拟分析了负阻曲线随控制电压变化的情况。结果表明,随控制电压的增大,转折电压、转折电流和维持电压均增大。最后,对不同结构和工艺参数的三端BNRT进行了模拟,总结出器件结构和工艺参数对负阻特性的影响。
- 莫太山张世林郭维廉梁惠来毛陆虹郑云光
- 新型恒压控制型负阻HBT的研制进展
- 2007年
- 研究了HBT产生负阻的可能机制,通过对材料结构和器件结构的特殊设计,采用常规台面HBT工艺,先后研制出3类高电流峰谷比的恒压控制型负阻HBT。超薄基区HBT的负阻特性是由超薄基区串联电阻压降调制效应造成的,在GaAs基InGaP/GaAs和AlGaAs/GaAs体系DHBT中均得到了验证。双基区和电阻栅型负阻HBT均为复合型负阻器件。双基区负阻HBT通过刻断基区,电阻栅负阻HBT通过在集电区制作基极金属形成集电区反型层,构成纵向npn与横向pnp的复合结构,由反馈结构(pnp)的集电极电流来控制主结构(npn)的基极电流从而产生负阻特性。3类负阻HBT与常规HBT在结构和工艺上兼容,兼具HBT的高速高频特性和负阻器件的双稳、自锁、节省器件的优点。
- 齐海涛郭维廉张世林
- 关键词：负阻异质结双极晶体管电流峰谷比
- 双沟道实空间电子转移晶体管的设计、研制和特性测量被引量：1
- 2008年
- 采用双沟道结构和GaAs衬底,成功设计研制了双沟道实空间电子转移晶体管.它具有RSTT典型的"Λ"形负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区.通过栅压可改变各种负阻参数值,当栅压从0.6V增至1.0V时,PVCR的变化范围是2.1～10.6,峰值电流跨导约为3×10-4S.负阻参数VP,VV和开始产生负阻的栅极阈值电压都小于国际上同类器件的报道值,因此更适合低功耗的运用.
- 郭维廉张世林梁惠来齐海涛毛陆虹牛萍娟于欣王伟王文新陈宏周均铭
- 关键词：电子转移器件
- 由纳米棒和纳米叶组成的铁磁性的MnSb薄膜(英文)
- 2007年
- 提供了一种利用物理蒸发沉积技术在单晶硅上生长纳米尺度的MnSb薄膜的方法.X射线衍射分析表明薄膜的主要成分是MnSb合金.场发射扫描电镜观察到薄膜是由纳米尺寸的棒状物和叶状物组成.纳米棒的平均直径为20nm,长度在几百纳米范围内.纳米叶的厚度大约为20nm,宽度为100nm左右.用可变梯度磁力计测量了薄膜的磁滞回线,结果显示薄膜有很强的几何各向异性.
- 戴瑞烜陈诺夫张兴旺彭长涛吴金良
- 关键词：铁磁性MNSB物理气相沉积
- 薄基区异质结晶体管的负阻特性与分析
- 2006年
- 采用分子束外延方法生长了8 nm基区的InGaP-GaAs双异质结材料,研制成具有负阻特性的异质结晶体管．该晶体管可以集成在高速高频的数字逻辑电路中,大大减少了器件数目．讨论了薄基区负阻异质结晶体管的负阻特性及其物理机制．器件负阻特性的产生与其结构密切相关,包括导带势垒尖峰和基区宽度负反馈效应．推出了物理公式,并且使用PSPICE模拟软件建立了电路模型．模拟结果符合制作器件的测量结果．
- 张世林李建恒郭维廉齐海涛梁惠来
- 关键词：异质结晶体管负阻特性电路模拟
- 谐振隧穿二极管的两种高频小信号模型比较与分析(英文)
- 2004年
- 讨论了谐振隧穿二极管 (RTD)的两种微波等效电路模型 :类江崎隧道模型 (QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异 ,并用最小二乘法拟合实验数据 ,提取了两种模型的电路参数 .理论分析和对拟合结果的比较都说明 QWITM比 QETM更加精确 ,而提取到的 QWITM的电路参数的合理性也证明了这一点 .在此基础上计算了阻性频率 f R,并简单介绍 f R
- 钟鸣张世林郭维廉梁惠来毛陆虹
- 关键词：RTD
- 用变温法测量RTD串联电阻被引量：1
- 2009年
- 用变温法测量了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)器件的串联电阻参数。与网络分析仪法不同,变温法是通过测量RTD器件在不同温度下的I-V特性曲线,用数学方法求解曲线特定区域的相关参数得到串联电阻值。为了便于对比,设计并研制了两种发射极面积的RTD器件,经测量发现,发射极面积对于RTD的串联电阻有较大影响。对其产生原因进行了详细的分析,为RTD在高频电路中的应用奠定了基础。
- 宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来
- 关键词：共振隧穿二极管串联电阻
