国家高技术研究发展计划(2002AA311243)
- 作品数：4 被引量：16H指数：3
- 相关作者：胡晓宇何华云杨基南刘亚红李学文更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团公司第四十八研究所中国电子科技集团更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 生产型GaN MOCVD设备控制系统软件设计被引量：7
- 2006年
- 对“用于GaN的生产型MOCVD”设备控制系统的软/硬件结构、关键技术进行了描述,介绍了国外几种生产型GaNMOCVD设备控制系统的特点;分析了MOCVD设备控制技术的发展趋势。
- 胡晓宇何华云
- 关键词：GANMOCVD自动控制可编程控制器
- GaN-MOCVD设备产业化发展战略研究——Ⅲ族氮化物半导体的热点、难点、机遇和挑战被引量：8
- 2003年
- 以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物半导体材料已经成为世界范围的研究热点。但是,采用异质外延法生长的GaN,由于衬底材料晶格失配和热失配而存在高密度的位错缺陷和产生龟裂;外延生长所用的源材料之间存在严重的气相预反应以及MO源对氧和水份等杂质十分敏感,因而外延质量和成品率强烈依赖于设备性能和工艺条件。无论是设备还是工艺,都还存在很大的发展空间和机遇,预料3年～5年内国外将推出每批几十片的商用机型,我国相关设备制造和器件开发面临严峻挑战。
- 杨基南刘亚红
- 关键词：氮化镓半导体材料产业氮化物半导体MOCVD设备
- 用于GaN生长的生产型MOCVD设备控制系统设计被引量：2
- 2005年
- MOCVD法外延生长GaN基材料作为新世纪的核心技术之一受到全世界的高度重视。MOCVD技术涉及面广,控制对象复杂,且对控制对象的精度、重复性、可靠性要求较高。主要介绍了用于GaN基材料生长的生产型MOCVD(2″×6)设备控制系统的组成与特点。设备运行一年来的结果表明,该系统可靠性高、抗干扰性好、运行效果良好。
- 宋玲李学文廖炼斌刘亚红杨基南
- 关键词：MOCVDGAN自动控制系统
- 生产型GaN MOCVD(6片机)设备中的压力控制技术被引量：6
- 2006年
- 反应室压力控制稳定是保证工艺重复性和陡峭界面生长的关键之一。分析了影响压力控制精度的主要因素,介绍了采用软件、硬件结合的方法,通过闭环压力控制、差压控制、高精度流量控制和补偿气路设计等技术手段,实现高精度压力稳定性和无扰动气体切换,首次在国产生产型GaN-MOCVD(6片机)设备上生长出高质量的多量子阱蓝光LED外延材料。
- 何华云胡晓宇
- 关键词：GANMOCVD压力控制LED多量子阱
