教育部重点实验室开放基金(x06050)
- 作品数：3 被引量：17H指数：3
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- 发文基金：教育部重点实验室开放基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术电气工程更多>>
- PSN-PZN-PMS-PZT五元系压电陶瓷性能的研究被引量：7
- 2005年
- 采用二次合成工艺得到了PSN-PZN-PM S-PZT五元系压电陶瓷。实验数据表明:组成在准同型相界处压电陶瓷的综合性能达最佳。在此基础上,分析组成在准同型相界处压电陶瓷的烧结温度与体密度、气孔率、晶粒大小及介电、压电性能的关系。结果表明,在合成温度为860°C时可得到钙钛矿结构。烧结温度1 260°C保温3 h条件下,得到一种综合性能优良的压电材料。主要参数为:3Tε3/0ε=1390,tanδ=0.32%,d33=303 pC/N,kp=55.1%,Qm=1 180。定量S r2+、B a2+的加入使相界向富锆方向移动,性能参数为,3Tε3/0ε=1 162,tanδ=0.30%,d33=307 pC/N,kp=56.8%,Qm=1 230。
- 陆翠敏孙清池徐明霞胜鹏
- 关键词：准同型相界烧结温度
- MnO_2和Nb_2O_5掺杂Pb(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.05)Zr_(0.47)Ti_(0.48)O_3压电陶瓷性能的研究被引量：5
- 2006年
- 探讨了MnO2和Nb2O5掺杂对Pb(Mn1/3Sb2/3)0.05Zr0.47Ti0.48O3(PMSZT)材料相组成、显微结构、电性能及温度稳定性的影响。结果发现:合成温度900℃,可以得到钙钛矿结构;随着掺杂量的增大,四方相的含量减少,准同型相界向三方相移动;当MnO2过量0.1%,Nb2O5掺杂0.05%(均为质量分数)时,ε3T3/ε0,d33和Kp达到最佳值;随着MnO2和Nb2O5掺杂量增加,Qm值下降,谐振频率变化率随温度变化由正到负。
- 孙清池陆翠敏徐明霞
- 关键词：相组成显微结构温度稳定性
- SiO_2对低温烧结PMSZT压电陶瓷性能的影响被引量：5
- 2008年
- 探讨了低温烧结时SiOz掺杂对锑锰锆钛酸铅Pb（Mn1/3Sb2/3）0.06Zr0．47Ti0.48O3（PMSZT）压电陶瓷性能的影响，通过X-射线衍射及扫描电镜分析Pb（Mn1/3Sb2/3）0.05Zr0.47Ti0.48O3＋w（SiO2）（w=0．05％～0．30％，质量分数）陶瓷的相组成和显微结构。结果表明，合成温度900℃时，可得到钙钛矿结构。w（SiO2）不同时PMSZT试样均为四方相和三方相共存，随着w（SiO2）的增加，三方相在准同型相界中的比例略有增加。当w（SiO2）=0．10％时，得到电性能优良的压电陶瓷，相对介电常数ε33^T／ε0=1290，介质损耗tan δ=0．4％，压电常数d33=264pC／N，机电耦合系数kp=0．59，机械品质因数Qm=3113。SiO2的加入使PMSZT陶瓷的居里温度降低，谐振频率随温度的变化几乎都是正。
- 何杰孙清池
- 关键词：压电陶瓷锑锰锆钛酸铅SIO2
