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锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电子结构的影响: 2009年; 运用第一性原理计算了锂嵌入对α-V2O5中O2p和V3d轨道电了结构的影响．计算结果表明，不同的锂嵌入位置对O2p和V3d轨道的电了结构有着不同的影响．但锂的嵌入会减弱了V2O5中V=O1键，同时导致V3d导带的劈裂变窄或消失和HO2p价带变宽．最后计算出从每个Li2s轨道到V3d轨道的电子传递数为0．52．; 李志阳林秀珠吴启辉; 关键词：V2O5 电子结构

气相输运法制备ZnO薄膜(英文)被引量：3: 2010年; 运用气相输运技术在不同的衬底上制备ZnO薄膜,同时对这些ZnO薄膜的表面形貌、晶体结构和光学特性进行表征。在扫描电子显微镜图像上可以看到,相比没有镀金的Si衬底,ZnO纳米颗粒在镀金的Si衬底上的生长尺寸较大。X射线衍射测试结果表明,在Si(111)和Si(100)衬底上生长的ZnO薄膜显示出不同的六角纤锌矿结构的衍射峰,但没有出现立方闪锌矿ZnO结构的衍射峰。在镀金的Si衬底上,ZnO薄膜生长取向主要为c轴方向。此外,所有ZnO样品的光致发光谱上均只出现一个狭窄且强的紫外峰,约在389 nm(3.19 eV)波长处。; 林秀珠李静吴启辉; 关键词：ZNO 水蒸气

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国家自然科学基金(20603028)