国家重点基础研究发展计划(51310z)
- 作品数：7 被引量：12H指数：3
- 相关作者：李平张树人翟亚红蔡道林邓宏更多>>
- 相关机构：电子科技大学中国石油大学（华东）更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划山东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- 铁电电容工艺与标准CMOS工艺兼容性研究
- 2007年
- 在铁电存储器制备过程中,Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜需经历多次热处理,铁电电容工艺与标准CMOS工艺的集成加工过程中可能存在交叉污染。对PZT薄膜中的铅在不同温度下的挥发量进行了测定,在温度为400℃时有0.15×10-6铅挥发。同时进一步研究了铁电工艺对底层NMOS管、PMOS管和CMOS电路性能的影响。实验结果表明:PMOS管的性能所受影响较大,PMOS管子的跨导(gm)明显降低;而NMOS管的性能所受影响较小;CMOS电路的数字逻辑功能正常。
- 翟亚红李平张树人杨成韬阮爱武蔡道林欧阳帆陈彦宇
- 关键词：PZT薄膜铁电电容跨导
- PZT铁电场效应晶体管电学性能被引量：4
- 2007年
- 采用磁控溅射法制备了(111)向择优的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的n沟道铁电场效应晶体管.研究了铁电场效应晶体管的C-V特性、I-V特性以及写入速度.顺时针的C-V滞回曲线和逆时针的Id-Vg滞回曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有极化存储性能和明显的栅极化调制效应,并且在-5V到+5V的Vg电压下从C-V和Id-Vg滞回曲线中都得到了2V的存储窗口.
- 蔡道林李平翟亚红张树人
- 关键词：磁控溅射铁电场效应晶体管
- MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性被引量：3
- 2008年
- 在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5^+5 V的电压下存储窗口为2 V。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松欧阳帆陈彦宇
- 关键词：磁控溅射铁电场效应晶体管
- 应用于FRAM的集成铁电电容的研究
- 2008年
- 集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。
- 蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松陈彦宇欧阳帆
- 关键词：铁电电容铁电存储器
- LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜界面结构分析被引量：1
- 2005年
- 通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm^2。性能决定于结构,因此本文分析研究了 LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的界面结构。首先通过高能电子衍射技术在薄膜生长过程中对各层的生长及界面状况进行观测,再通过小角 X 射线衍射曲线及其计算机拟合曲线进一步确定超晶格薄膜的界面及结构参数,如界面的粗糙度、单层厚度等。通过研究发现,由于晶格之间的差异,LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜中 LaAlO_3和 BaTiO_3层的生长过程及微结构存在着一定的差异。
- 郝兰众李燕邓宏刘云杰姬洪
- 关键词：超晶格薄膜生长小角X射线衍射BATIO3
- LaAlO_3顶层结构对LaAlO_3-BaTiO_3铁电超晶格薄膜性能的影响被引量：1
- 2007年
- X射线衍射技术分析发现,通过生长一层较厚的LaAlO3顶层结构,可以把LaAlO3-BaTiO3超晶格中界面处的应变有效地控制在薄膜中,从而增加超晶格薄膜的平均面外晶格常数c。电学性能测试证明LaAlO3顶层结构的存在极大地改善了超晶格薄膜的电学性能,使其剩余极化强度增加了40多倍。
- 刘云杰郝兰众李燕邓宏
- 关键词：超晶格X射线衍射
- MFMIS结构铁电场效应晶体管研究
- 采用磁控溅射法制备了(111)向择优的 Pb(ZrTi)O(PZT)铁电薄膜,并结合半导体集成技术制备了金属/铁电/金属/多晶硅/绝缘层/Si 衬底(MFMIS)结构的 p 沟道铁电场效应晶体管。研究表明具有顺时针的 I...
- 蔡道林李平翟亚红张树人
- 关键词：磁控溅射铁电场效应晶体管
- 文献传递
- LaAlO_3/BaTiO_3超晶格薄膜的生长及结构分析被引量：4
- 2005年
- 采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向的SrTiO3 单晶基片上成功外延生长了LaAlO3/Ba TiO3 超晶格薄膜。在超晶格薄膜生长过程中,采用高能电子衍射技术(RHEED)对LaAlO3/BaTiO3 超晶格薄膜的生长过程以及平面晶格变化进行了分析。通过对超晶格薄膜中各层RHEED衍射条纹的分析计算发现超晶格薄膜存在一个临界厚度,其值约为 17nm,当超晶格薄膜的厚度小于该临界厚度时,晶格畸变在逐渐增加,当厚度超过该临界厚度时,晶格畸变因弛豫现象的产生而逐渐减小。超晶格薄膜中不同层的RHEED衍射条纹的差别说明了由于不同应力的作用使超晶格薄膜中LAO层和BTO层表面粗糙度不同。
- 郝兰众李燕邓宏刘云杰姬洪张鹰
- 关键词：RHEED
