国家重点基础研究发展计划(G20000672072)
- 作品数：2 被引量：8H指数：2
- 相关作者：柳襄怀江炳尧任琮欣郑志宏樊会明更多>>
- 相关机构：中国科学院中国科学院电子学研究所更多>>
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- 相关领域：金属学及工艺更多>>
- 低能Ar^+离子束辅助沉积择优取向Pt(111)膜被引量：3
- 2004年
- 采用低能Ar+离子束辅助沉积方法,在Mo/Si(100)基底上沉积Pt膜,离子/原子到达比分别为0.1、0.2、0.3。若Ar+离子的入射角为0°,XRD谱分析表明,沉积的Pt膜均呈(111)和(200)混合晶向;当Ar+离子的入射角为45°,沉积的Pt膜均呈很强的(111)择优取向。因此若合理控制Ar+离子束的入射角,可在Mo/Si(100)衬底上制备出具有显著择优取向的Pt(111)薄膜。本文采用MonteCarlo方法模拟低能Ar+离子注入Pt单晶所引起的原子级联碰撞过程,得出Ar+离子入射单晶铂(200)晶面时,Ar+离子的溅射率与入射角的关系,对Pt膜择优取向的机理作了初步的探讨和分析。
- 江炳尧蒋军冯涛任琮欣张正选宋志棠柳襄怀郑里平
- 关键词：离子束辅助沉积
- 离子束辅助沉积铪薄膜晶粒的择优取向被引量：5
- 2003年
- 采用离子束辅助沉积方法 (IBAD)在Si(111)衬底上沉积了铪薄膜。实验发现 :在铪膜生长时 ,轰击铪膜的Ar+ 离子的能量、入射角度和束流密度对薄膜的晶粒取向有很大的影响。当Ar+ 离子的能量为 5 0 0eV、入射角为 75°、束流密度为 0 .9A/m2 时 ,铪膜为 (110 )择优取向。当束流密度大于 1.2A/m2 时 ,铪膜以 (0 0 2 )、(10 0 )混合晶向为主 ,而与Ar+ 离子的入射角度无关。讨论了铪膜晶粒取向的转变机制 ,认为铪膜晶粒的择优取向 ,不是单纯地取决于基于沟道效应的溅射机制 ,或取决于基于能量极小原理的表面能最小或表面应力最小的面生长较快的机制 ,而是影响薄膜生长的各种因素互相竞争、共同作用 ,在非平衡态条件下表面能极小化的结果。
- 江炳尧任琮欣郑志宏柳襄怀樊会明姚刘聪李玉涛苏小保
- 关键词：晶粒离子束辅助沉积IBAD
