国家自然科学基金(6086601)
- 作品数：1 被引量：3H指数：1
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- 生长厚度对InGaAs/InAs薄膜表面形貌的影响被引量：3
- 2014年
- 利用分子束外延技术,通过反射式高能电子衍射仪实时监控In0.86Ga0.14As/InAs薄膜生长状况,在InAs(001)基片上生长5、10、20原子单层(ML)厚度的InGaAs单晶薄膜。采用扫描隧道显微镜对原位退火后不同厚度的In0.86Ga0.14As样品进行扫描,证实了在同一组分下,薄膜生长厚度的改变并不剧烈影响薄膜的重构,然而,随着生长厚度的增加,外延层的表面拉伸应力进一步增大,平台平均尺寸逐渐减小,表面应力的累积使表面台阶数目逐渐增多,台面产生更多扭折,原子在具有各向异性的择优扩散机制与表面应力的共同作用下,In0.86Ga0.14As/InAs薄膜锯齿状的台阶边缘越明显,表面越粗糙化。
- 王一郭祥刘珂黄梦雅魏文喆赵振胡明哲罗子江丁召
- 关键词：分子束外延IN0
