国际科技合作与交流专项项目(2005DFA51050)
- 作品数：4 被引量：14H指数：2
- 相关作者：肖清华周旗钢高宇戴小林黄军辉更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
- 发文基金：国际科技合作与交流专项项目更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 300mm硅单晶生长过程中热弹性应力的数值分析被引量：2
- 2007年
- 采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟,模拟考虑了热传导、辐射、气体和熔体对流、热弹性应力等物理现象。针对晶体生长过程中小形变量的塑性形变,以Cauchy第一和第二运动定律作为局部控制方程,考虑了硅单晶的各向异性,计算了<100>硅单晶生长过程中晶体内von Mises应力分布和变化规律,结果表明在等径生长阶段热应力上升最显著,界面上方晶体内热应力随晶体生长速率增大而升高。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热应力MM硅单晶
- 300mm硅片双面抛光运动轨迹模拟和优化被引量：8
- 2007年
- 通过建立300 mm硅片双面化学机械抛光中硅片上定点相对于上下抛光垫的运动轨迹方程,分析了内外齿轮转速、抛光布转速对运动轨迹分布的影响,调整三者大小使得运动轨迹分布较均匀。实验证明运动轨迹路径长度与抛光去除厚度成正比关系,计算运动轨迹路径长度确定抛光垫的转速以达到上下表面具有相同的抛光速率。研究结果为300 mm硅片双面化学机械抛光找出优化工艺参数、提高硅片抛光后表面质量提供了理论依据。
- 黄军辉周旗钢万关良肖清华库黎明
- 关键词：非均匀性DSP
- 掺氮对300mm单晶硅中流动图形缺陷和氧化诱生层错的影响
- 2007年
- 采用直拉法生长普通硅单晶和掺氮硅单晶,研究两种晶体中空位型原生缺陷(voids)和氧化诱生层错(OSFs)的行为。从两种晶体的相同位置取样,并对样品进行Secco腐蚀、1100℃湿氧氧化和铜缀饰实验。实验结果表明,在掺氮硅单晶中与较大尺寸的voids相关的流动图形缺陷(FPDs)的密度变小,氧化诱生层错环(OSF-ring)向样片中心处移动,同时宽度变大。这说明在直拉硅中掺氮可以抑制大尺寸voids的产生,同时可以缩小空位型缺陷区的范围,而且V/I过渡区(OSF-ring)的范围变大。
- 韩海建周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：流动图形缺陷掺氮
- 热屏和后继加热器对生长φ300mm硅单晶热场影响的数值分析被引量：4
- 2007年
- 本文采用有限体积元法软件CrysVUn对直拉法生长直径300mm硅单晶热场和热应力分布进行了模拟。后继加热器通过补充晶体径向的热散失,使得沿生长界面径向的由熔体向晶体的热输运实现平衡,使晶体生长界面更加平坦。随着热屏材料热辐射率的降低,晶体生长界面趋于平坦,生长界面上方热应力水平也随着热屏材料辐射率的减小而下降,使用内层高辐射率材料、外层低辐射率材料的复合式热屏结构进一步降低了晶体生长界面中心高度。
- 高宇周旗钢戴小林肖清华
- 关键词：热屏
