江苏省高校高新技术产业发展项目(BG2003024)
- 作品数：6 被引量：33H指数：4
- 相关作者：王鸣王婷婷李明戎华聂守平更多>>
- 相关机构：南京师范大学更多>>
- 发文基金：江苏省高校高新技术产业发展项目国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 数字散斑相关法测量连续位移的原理与实验被引量：2
- 2006年
- 提出用数字散斑相关方法测量移动物体的连续位移.激光照射粗糙表面形成散斑场,用CCD记录粗糙表面移动时的序列散斑图像,利用数字散斑相关方法分析散斑图像,确定粗糙表面的位移.研究结果表明,数字散斑相关技术可以高精度地测出连续移动物体的位移.
- 闫海涛王鸣赖方明韩道福
- 关键词：数字散斑自相关函数
- 半导体激光器自混合干涉的调制与放大电路被引量：5
- 2004年
- 介绍了一种实用的半导体激光器自混合干涉的调制与放大电路 ,给出了电路原理图及其设计原理 。
- 王婷婷李明王鸣郝辉
- 关键词：半导体激光器自混合干涉
- 光纤微机电压力传感器的设计被引量：3
- 2004年
- 设计了一种基于微机电系统 (MEMS)的光纤压力传感器 ,证明了光纤MEMS压力传感器在工作状态下可以由法布里珀罗腔的理论模型进行解释 .推导出光纤MEMS压力传感器中硅横膈膜受到的压力与干涉光强的关系表达式 .并且对光纤MEMS压力传感器的模型进行数值模拟 ,得到了传感器制作过程中涉及到的各个物理量的取值 ,其中腔体半径为 3 0 0 μm、腔体深度为 2 .42 μm、硅横膈膜厚度为 2 3 μm .该设计为光纤MEMS压力传感器的加工和制作提供了理论基础 .
- 李明王鸣王婷婷聂守平
- 关键词：集成光路数值模拟
- 硅的反应离子刻蚀工艺参数研究被引量：12
- 2006年
- 对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.
- 葛益娴王鸣戎华
- 关键词：反应离子刻蚀刻蚀速率
- 光纤微机电系统压力传感器的理论分析和数值模拟被引量：5
- 2005年
- 设计了一种基于微机电系统(MEMS)的光纤压力传感器,证明了光纤MEMS压力传感器在工作状态下可以由法布里_珀罗腔的理论模型解释。推导出了在光纤MEMS压力传感器中硅横膈膜的压力与干涉光强的关系表达式,并对光纤MEMS压力传感器的模型进行了数值模拟,初步确定了在传感器的制作过程中各个物理量的取值。其中腔体半径为300μm、腔体深度为1.42μm、硅横膈膜厚度为23μm,为光纤MEMS压力传感器的加工和制作提供了理论基础。
- 李明王鸣王婷婷聂守平
- 关键词：光电技术微光机电系统数值模拟
- 硅压力传感器中硅玻璃阳极键合的热应力分析被引量：6
- 2009年
- 由于硅与玻璃阳极键合需要在相对较高的温度下进行,因此材料之间会因热膨胀系数失配而产生较大的热应力,该应力对压力传感器的性能影响较大。对采用单晶硅横膈膜作为敏感膜与玻璃环阳极键合形成压力参考腔的封装,用有限元方法对硅玻璃环键合后因温度变化所产生的应力分布进行了系统仿真分析,并采用泰曼-格林干涉仪对键合后硅片的变形进行测量。测量结果显示硅膜的挠度为283nm,测量结果与仿真结果基本一致。
- 张强王鸣戎华
- 关键词：阳极键合热应力干涉法
