河南省自然科学基金(112300410121)
- 作品数：2 被引量：2H指数：1
- 相关作者：刘旭焱蒋华龙王爱华周大伟崔本亮更多>>
- 相关机构：南阳师范学院更多>>
- 发文基金：河南省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 高质量超薄SGOI衬底材料的制备新方法被引量：1
- 2012年
- 绝缘体上的锗硅(SiGe-On-Insulator,SGOI)材料不仅是高迁移率新型沟道材料应变硅的良好衬底,其本身也是一种极具潜力的高迁移率衬底材料.Ge浓缩是获得高Ge组分、高质量SGOI的最优制备方法之一,传统Ge浓缩工艺在实验中得到改进,在高纯N2气氛中,进行了1000℃的后退火以改善所得SGOI中Ge元素的分布.实验制备了三种后退火条件下的Ge浓缩样品以作对比,并在三种样品上分别外延了20 nm厚的顶层Si以进一步确定所得SGOI材料性能.实验结果发现,三种样品表面平整度并无太大差别,而使用了改进后退火工艺的样品具有最好的Ge组分均匀性和最低的缺陷密度.同时,改进后退火工艺的样品上外延所得顶层硅具有最大的应变值,而Si/SiGe界面处Ge的组分是顶层硅应变度的决定性因素之一.
- 刘旭焱王爱华蒋华龙周大伟
- 超薄SGOI衬底上全局应变Si的制备和表征被引量：1
- 2013年
- 应变Si是一种能在未来保持Si CMOS技术的发展继续遵循摩尔定律的新材料.本文结合SOI技术,利用改进型Ge浓缩技术制备了绝缘体上超薄的弛豫SiGe衬底,并使用超高真空化学气相沉积在较低温度下成功外延了厚度为25nm的应变Si单晶薄膜,扫描电子显微镜和原子力显微镜显示样品表面薄膜完整、平坦;高分辨透射电子显微镜和二次离子质谱表明:样品各层结构清晰、位错密度极低、界面陡直且元素分布均匀;紫外拉曼光谱证实了顶层Si中获得了1%的平面张应变,基于此的MOS器件有望获得比传统体Si大大提升的性能.
- 刘旭焱王爱华蒋华龙濮春英姚文华崔本亮
- 关键词：应变SI应变弛豫
