国家自然科学基金(81302468)
- 作品数：2 被引量：3H指数：1
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- Nrf-2在纳米二氧化硅致人支气管上皮细胞氧化损伤中的作用被引量：2
- 2014年
- [目的]探讨核因子E2相关因子2(Nrf-2)在纳米二氧化硅(nano-SiO2)致人支气管上皮细胞(16HBE)氧化应激损伤中的作用。[方法]分别以终浓度为1.0、2.5、5.0、10.0、25.0和50.0μg/mL nano-SiO2处理人支气管上皮细胞24 h,检测细胞活性。根据检测结果,确定本实验nano-SiO2(粒径15 mm)的暴露浓度为2.5、5.0和10.0μg/mL,分别设定为低、中、高浓度组。检测各暴露浓度组细胞内活性氧(ROS)、丙二醛(MDA)、总超氧化物歧化酶(T-SOD)和谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)等氧化应激相关指标。Western Blotting检测细胞总蛋白和核蛋白中Nrf-2的表达水平,同时采用实时荧光定量聚合酶链反应检测Nrf-2基因mRNA表达水平。[结果]中、高浓度nano-SiO2组16HBE胞内ROS水平明显增高(P<0.01),同时T-SOD和GSH-Px含量降低(P<0.05);各浓度nano-SiO2组16HBE胞内MDA含量均明显增高(P<0.05)。与对照组相比,随着nano-SiO2暴露浓度的增高,细胞总Nrf-2蛋白和Nrf-2基因的表达水平呈先增高后降低的趋势,而核内Nrf-2蛋白表达水平均明显增高。[结论]15 nm粒径的SiO2可诱导人支气管上皮细胞发生氧化应激性损伤,而Nrf-2的激活和核转位在调节细胞内氧化-抗氧化体系中起重要作用。
- 范玉兰陶功华肖萍龚春梅洪新宇帅怡郑卫东孙静秋
- 关键词：核因子E2相关因子2纳米二氧化硅人支气管上皮细胞氧化应激
- 纳米二氧化硅致Nrf-2基因缺陷人永生化表皮细胞氧化损伤的研究被引量：1
- 2017年
- [目的]探讨纳米二氧化硅(nano-SiO_2)致核因子E2相关因子2(Nrf-2)基因缺陷型人永生化表皮细胞的氧化应激损伤效应。[方法]采用RNA干扰技术构建人永生化表皮细胞(HaCaT)Nrf-2基因缺陷细胞模型,以终质量浓度(后称浓度)为2.5、5.0、10.0 mg/L的nano-SiO(215 nm粒径)分别染毒HaCaT细胞和Nrf-2基因缺陷细胞24 h,检测细胞内活性氧(ROS)、8-羟化脱氧鸟苷(8-oHdG)、丙二醛(MDA)、总超氧化物歧化酶(T-SOD)和谷胱甘肽过氧化物酶(GSH-Px)等氧化应激指标,并对细胞总蛋白和核蛋白中Nrf-2蛋白的表达水平进行分析。[结果]5.0、10.0 mg/L nano-SiO_2可引起HaCaT细胞的活力明显降低(P<0.05),而2.5 mg/L nano-SiO_2开始即可引起Nrf-2基因缺陷细胞活力呈剂量依赖性降低(r=-0.914,P<0.05),Nrf-2基因缺陷细胞的活力均明显低于同浓度组的HaCaT细胞(P<0.05)。各浓度组细胞内ROS、8-oHdG和MDA水平均呈剂量依赖性增高,而T-SOD和GSH-Px的含量则呈剂量依赖性降低;与同浓度组HaCaT细胞相比,Nrf-2基因缺陷细胞中相关指标的变异程度更大,差异有统计学意义(P<0.05)。正常HaCaT细胞中,低剂量组总Nrf-2蛋白和低、中剂量组核Nrf-2蛋白的表达水平增高(P<0.05);而随着nano-SiO_2暴露浓度的进一步增高,两种蛋白的表达水平又呈降低的趋势。与HaCaT细胞的阴性对照比较,Nrf-2基因缺陷细胞中总Nrf-2蛋白表达水平下降,核Nrf-2蛋白表达水平未见差异。[结论]5.0 mg/L nano-SiO_2可体外诱导HaCaT细胞发生氧化应激性损伤,Nrf-2基因缺陷可通过改变细胞的抗氧化防御能力,增加HaCaT细胞对nano-SiO_2的敏感性。
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- 关键词：核因子E2相关因子2纳米二氧化硅氧化应激
