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广东省教育部产学研结合项目(2009B090300093)

作品数:2 被引量:7H指数:2
相关作者:林彩平陈伟业刘彭义常鹏更多>>
相关机构:暨南大学更多>>
发文基金:广东省教育部产学研结合项目广州市科技计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 1篇电性能
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇陶瓷
  • 1篇陶瓷结构
  • 1篇钛酸
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇钛酸钡陶瓷
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能
  • 1篇SIO
  • 1篇SIO2
  • 1篇ZR

机构

  • 2篇暨南大学

作者

  • 2篇刘彭义
  • 2篇陈伟业
  • 2篇林彩平
  • 1篇常鹏

传媒

  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
SiO_2对低温烧结压电陶瓷PMNNS的性能影响被引量:3
2012年
在烧结温度为1020℃下,采用固相二步合成法制备了Pb(Ni1/3Nb2/3)0.05(Mn1/3Nb2/3)0.04(Mn1/3Sb2/3)0.01(Zr1/2Ti1/2)0.9O3(PMNNS)压电陶瓷,研究了加入不同掺杂量的SiO2对陶瓷的结构与机电性能的影响。结果表明:加入SiO2可以明显地降低烧结温度;而且当SiO2的掺杂量为0.1%时,陶瓷的性能最佳,其性能如下:d33=331 pC/N,tanδ=0.0041,kp=0.62,Qm=1326,εr=917。
陈伟业刘彭义林彩平常鹏
关键词:压电陶瓷SIO2
Zr与稀土Nd复合掺杂对钛酸钡陶瓷结构及介电性能的影响被引量:4
2012年
在1 270℃的烧结温度下,采用固相反应法对BaTiO3粉体进行Nd2O3和ZrO2双施主复合掺杂,合成(Ba0.98Nd0.02)(Ti1–xZrx)O3(BTNZ)陶瓷,研究了Zr掺杂量对BTNZ陶瓷的显微结构及介电性能的影响。结果表明:随着Zr掺杂量的增加,BTNZ陶瓷的介电峰移向室温;加入适量的Zr离子替代BaTiO3中的Ti离子能很好地改善BTNZ陶瓷的介电性能,当Zr掺杂量为x=0.01时,BTNZ陶瓷的相对介电常数可达7 200。
林彩平刘彭义陈伟业
关键词:钛酸钡陶瓷介电性能
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