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共晶芯片数及芯片位置对陶瓷共晶封装LED发光性能的影响被引量：5: 2020年; 在大小为5.80 mm×2.55 mm×0.50 mm的8芯陶瓷封装基板上分别共晶了8颗和4颗1.125 mm×1.125 mm(45 mil×45 mil)的倒装蓝光LED芯片,在4.15 mm×2.55 mm×0.50 mm的6芯基板上共晶了6颗和3颗同规格芯片。在部分样品芯片侧边涂围了高反射白墙胶,研究了涂覆白墙胶对器件光功率的影响。在部分涂围了白墙胶样品的芯片顶面涂覆荧光粉硅胶混合层制备了白光器件,研究了共晶芯片数及共晶位置对蓝光/白光器件光功率、光通量和色温的影响。结果表明,共晶芯片的数量(额定功率)与陶瓷基板面积的匹配程度、陶瓷基板热电分离金属层与芯片共晶位置的匹配度会显著影响陶瓷封装LED的发光性能。; 王世龙熊传兵汤英文李晓珍刘倩; 关键词：陶瓷封装热平衡

Influence of growth rate on the carbon contamination and luminescence of GaN grown on silicon被引量：2: 2015年; The unintentional carbon doping concentration of GaN films grown by low pressure metal organic chemical vapor deposition(LP-MOCVD) depends strongly on the growth rate. The concentration of carbon is varied from 2.9x10 17 to 5.7x10 18 cm-3 when the growth rate increases from 2.0 to 7.2 m/h, as detected by secondary ion mass spectroscopy. It is shown that the presence of N vacancies give rises to high carbon concentration. We show that a reduction of the carbon concentration by one order of magnitude compared to the regular sample with nearly same growth rate can be achieved by operating at an extremely high NH3 partial pressure during growth. The intensity ratios of yellow and blue luminescence to band edge luminescence in the samples are found to depend significantly on carbon concentration. The present results demonstrate direct and quantitative evidence that the carbon related defects are the origin of yellow and blue luminescence.; 毛清华刘军林吴小明张建立熊传兵莫春兰张萌江风益; 关键词：发光特性生长速率蓝色发光 GAN薄膜 MOCVD

基于体素下采样和关键点提取的点云自动配准被引量：24: 2020年; 针对最近点迭代算法(ICP)在大数据点云下配准效率低及对配准点云初始位置依赖性强的缺点,提出了一种基于快速点云粗配准与ICP算法相结合的方法。根据体素对原始点云进行下采样,结合法向量特征提取关键点,使用快速点特征直方图(FPFH)算法描述关键点;根据局部邻域内的关键点匹配对的向量夹角特性进一步对匹配点对进行精简;对精简后的关键点对集使用随机采样一致性算法(RANSAC)获取内点最多的变换参数,从而完成点云粗配准;最后在粗配准点云的基础上使用ICP算法完成精确配准。实验结果表明,本算法在高密集点云上的配准效率和精度均有所提高。; 张彬熊传兵; 关键词：体素点云配准

牺牲Ni退火对硅衬底GaN基发光二极管p型接触影响的研究被引量：3: 2011年; 本文通过在硅衬底发光二极管(LED)薄膜p-GaN表面蒸发不同厚度的Ni覆盖层,将其在N2:O2=4:1的气氛中、400℃—750℃的温度范围内进行退火,在去掉薄膜表面Ni覆盖层之后制备Pt/p-GaN欧姆接触层.实验结果表明:退火温度和Ni覆盖层厚度均对硅衬底GaN基LED薄膜p型欧姆接触有重要影响,Ni覆盖退火能够显著降低p型层中Mg受主的激活温度.经牺牲Ni退火后,p型比接触电阻率随退火温度的升高呈先变小后变大的规律,随Ni覆盖层厚度的增加呈先变小后变大随后又变小的趋势;经过优化后,当Ni覆盖层厚度为1.5nm,退火温度为450℃,Pt与p-GaN比接触电阻率在不需要二次退火的情况下达到6.1×10-5Ω·cm2.; 王光绪陶喜霞熊传兵刘军林封飞飞张萌江风益; 关键词：氮化镓

大功率倒装LED芯片陶瓷封装器件顶面微区发光均匀性被引量：2: 2021年; 高功率密度的陶瓷封装LED器件在大电流工作时,其顶面发光均匀性是该类器件的关键指标。本文在3.5 mm×3.5 mm的氮化铝陶瓷基板上金锡共晶了1.905 mm×1.830 mm(75 mil×72 mil)的LED倒装蓝光大功率芯片,然后分别制作成蓝光器件和白光器件,并分别对器件顶面的微区发光均匀性进行了研究。结果表明,蓝光器件在电流<3 A时,其顶面光强分布均匀,均匀性受N电极孔和电极间隙的影响较小;在4~8 A电流时,蓝光器件顶面光强分布不均匀,贯穿N电极孔测试区的光强大于电极孔之间测试区的光强,电极间隙区光强最低,离N电极孔越远的测试点光强越低;蓝光器件在8 A时整体光强达到饱和,而不同微区的光饱和程度及峰值波长随电流的变化有所不同;白光器件在0~4 A电流时,其顶面光强分布均匀。; 李晓珍熊传兵汤英文郝冬辉; 关键词：倒装芯片

多芯CSP-LED芯片间距对热拥堵的影响被引量：2: 2020年; 在铝基板上贴片了不同间距的四颗芯片级封装发光二级管(CSP-LED)模组,测试了不同贴片间距CSP-LED模组的EL光谱、流明效率、光通量、相关色温等光电参数。结果显示,在小电流(20~400 mA)下,随着注入电流的增大,不同排布间距的蓝、白光样品的光电性能基本呈现相同的变化规律,即光通量、光功率呈线性增长,光效基本保持稳定;在大电流(1~1.5 A)下,随着芯片间排布间距减小,EL光谱积分强度降低,色温升高,红色比下降,排布间距为0.2 mm的光通量衰减了84.58%,相比之下排布间距为3 mm和5 mm的光通量衰减明显减缓,分别为8.96%和3.58%,这些现象与禁带宽度、热应力、非辐射复合等因素有关。结果表明,CSP白光LED光通量衰减主要是荧光粉退化导致的,考虑到实际生产成本问题,排布间距为3 mm时,有利于热量散出,进而提高LED光电性能特性及其自身的使用寿命。; 刘倩熊传兵汤英文李晓珍王世龙; 关键词：芯片级封装

AlN插入层对硅衬底GaN薄膜生长的影响被引量：5: 2014年; 利用金属有机化合物气相外延沉积技术在2inch(5.08cm)Si(111)图形衬底上生长了GaN外延薄膜,在Al组分渐变AlGaN缓冲层与GaN成核层之间引入了AlN插入层,研究了AlN插入层对GaN薄膜生长的影响。结果表明,随着AlN插入层厚度的增加,GaN外延膜(002)面与(102)面X射线衍射摇摆曲线半峰全宽明显变小,晶体质量变好,同时外延膜在放置过程中所产生的裂纹密度逐渐减小直至不产生裂纹。原因在于AlN插入层的厚度对GaN成核层的生长模式有明显影响,较厚的AlN插入层使GaN成核层倾向于岛状生长,造成后续生长的nGaN外延膜具有更多的侧向外延成分,从而降低了GaN外延膜中的位错密度,减少了GaN外延膜中的残余张应力。同时还提出了一种利用荧光显微镜观察黄带发光形貌来表征GaN成核层形貌和生长模式的新方法。; 刘军林熊传兵程海英张建立毛清华吴小明全知觉王小兰王光绪莫春兰江风益; 关键词：氮化镓硅衬底

硅基板和铜基板垂直结构GaN基LED变温变电流发光性能的研究被引量：1: 2014年; 本文将硅(Si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜剥离转移到新的硅基板和紫铜基板上,并获得了垂直结构的LED芯片,对其变温变电流电致发光(EL)特性进行了研究.结果表明:当环境温度不变时,在13 K低温状态下铜基板芯片的EL波长始终大于硅基板芯片约6 nm,在300 K状态下随着驱动电流的加大铜基板芯片的EL波长会由大于硅基板芯片3 nm左右而逐渐变为与硅基板芯片重合;当驱动电流不变时,环境温度由13 K升高到320 K,两种基板芯片的EL波长随温度升高呈现S形变化并且波谱逐渐趋于重合;在100 K以下温度时铜基板芯片的Droop效应比硅基板芯片明显,在100 K以上温度时硅基板芯片的Droop效应比铜基板芯片明显.可能是由于两种芯片的基板具有不同的热膨胀系数和热导率导致了其变温变电流的EL特性不同.; 黄斌斌熊传兵张超宇黄基锋王光绪汤英文全知觉徐龙权张萌王立方文卿刘军林江风益; 关键词：GAN 内量子效率热导率

图形硅衬底GaN基发光二极管薄膜去除衬底及AlN缓冲层后单个图形内微区发光及应力变化的研究被引量：1: 2015年; 研究了图形硅衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基发光二极管(LED)薄膜、去除硅衬底后的无损自由状态LED薄膜以及去除氮化铝(AlN)缓冲层后的自由状态LED薄膜单个图形内的微区光致发光(PL)性能,用荧光显微镜与扫描电镜观测了去除.AlN缓冲层前后LED薄膜断面弯曲状况的变化.研究结果表明:1)去除硅衬底后,自由支撑的LED薄膜朝衬底方向呈柱面弯曲状态,且相邻图形的柱面弯曲方向不一致,当进一步去除AlN缓冲层后薄膜会由弯曲变为平整;2)LED薄膜在去除硅衬底前后同一图形内不同位置的PL谱具有显著差异,而当去除AlN缓冲层后不同位置的PL谱会基本趋于一致;LED薄膜每一位置的PL谱在去除硅衬底后均出现明显红移,进一步去除AlN缓冲层后PL谱出现程度不一的微小蓝移;3)自由支撑的LED薄膜去除AlN缓冲层后,PL光强随激光激发密度变化的线性关系增强,光衰减得到改善.; 张超宇熊传兵汤英文黄斌斌黄基锋王光绪刘军林江风益; 关键词：氮化镓发光二极管光致发光

硅衬底GaN基单量子阱绿光LED量子效率的研究: 利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长了InGaN/GaN单量子阱(SQW)绿光材料,并制备成n面向上(Pt基反射镜、无表面粗化)的垂直结构发光二极管(LED),研究了主波长(WLD)分别为51...; 王光绪熊传兵刘彦松程海英刘军林江风益; 关键词：GAN 绿光LED 硅衬底单量子阱量子效率; 文献传递

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