国家高技术研究发展计划(2002AA325030)
- 作品数：5 被引量：50H指数：3
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术更多>>
- 硒化镉(CdSe)单晶体的变温霍尔效应研究被引量：2
- 2005年
- 通过变温(20～300K)霍尔效应测量,研究了CdSe单晶体的电阻率ρ(T)、载流子浓度n(T)、霍尔系数RH(T)和霍尔迁移率μH(T)的温度依赖关系.实验结果表明CdSe单晶体的导电类型总为n型,且它的电阻率与载流子浓度的温度依赖关系与n-Si单晶类似.通过拟合禁带宽度约为1.7eV.本文还进一步研究了本征区、饱和区、弱电离区内电子浓度的变化和霍尔因子γ随温度变化关系,并由此计算出杂质电离能(24.7meV)与补偿度(23.7%).上述结果表明CdSe单晶体具有优良的电学特性,是制作室温核辐射探测器的理想材料.
- 温才赵北君朱世富王瑞林何知宇任锐罗政纯李艺星
- 关键词：核辐射探测器
- 双温区生长CdSe单晶及其红外表征被引量：4
- 2006年
- 硒化镉晶体是一种很有前途的室温核辐射探测器半导体材料，实验采用改进的双温区气相垂直提拉法成功的生长了φ15mm×40mm，电阻率为10^7～10^8（Ω·cm）量级的硒化镉单晶体。对生长的硒化镉单晶体（110）解理晶片进行XRD、红外透过测试，结果显示：硒化镉单晶体完整性好，红外透过率〉62％，表明用二步提纯，在具有较好温度梯度的双温区炉中生长晶体，能有效地控制杂质、缺陷浓度和晶体的化学配比。
- 叶林森赵北君朱世富何知宇任锐王瑞林钟雨航温才李佳伟
- 关键词：硒化镉晶体生长电阻率
- CdSe探测器晶片化学机械抛光工艺研究被引量：2
- 2006年
- 采用相同温度、刚玉粉、抛光时间和不同方式配制成抛光液,对4组CdSe晶片进行抛光。研究结果表明,采用化学机械抛光能较大地提高晶片的抛光质量。通过用不同pH值的抛光液对CdSe晶片进行抛光,发现用NaOH将抛光液pH值调整为8的一组CdSe晶片,获得了最好的抛光效果,电阻率较高,达到3.2×108Ω.cm以上,适合CdSe探测器制备。
- 钟雨航朱世富赵北君任锐何知宇叶林森温才
- 关键词：硒化镉抛光液金相显微镜电阻率
- 室温半导体核辐射探测器新材料及其器件研究被引量：40
- 2004年
- 本文论述了室温半导体核辐射探测器新材料及其探测器的研究发展过程和最新动态,分别介绍了几种主要室温半导体核辐射探测器新材料晶体的组成、结构、性能及其探测器的制备技术,主要应用情况。结果表明:HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体是性能优异的室温半导体核辐射探测器新材料,用其制作的探测器,可在室温下广泛用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。因此,近年来对大尺寸高质量HgI2、CdZnTe和CdSe单晶体及其室温核辐射探测器的研究,已成为高技术新材料领域的前沿研究课题。
- 朱世富赵北君王瑞林高德友韦永林
- 关键词：单晶体CDZNTECDSE
- 低位错ZnSe单晶的生长被引量：5
- 2006年
- 采用化学气相输运法(CVT)在适合的温度和I2含量的条件下,生长出了25mm×3mm的ZnSe单晶,位错密度为6.5×103个/cm2。对ZnSe单晶进行光学性能分析,在10.6μm处的透过率超过70%,在10.6μm处的吸收系数为7.72×10-4/cm。
- 张旭李卫张力强丁进王坤
- 关键词：位错密度
- 硒化镉多晶原料的提纯
- 禁带宽度为1.74ev的硒化镉单晶是制造室温核辐射探测器、光电子器件的理想材料,目前应用硒化镉单晶制作γ射线探测器和作为外延生长的基底材料受到广泛的关注,有希望成为已受广泛关注的碲化镉、碘化汞探测器的替代材料。为了获得大...
- 李艺星赵北君朱世富王瑞林陈松林何知宇罗正纯
- 文献传递
