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国家高技术研究发展计划(2007AA04Z323)

作品数：2 被引量：10H指数：2
相关作者：陈大鹏欧文明安杰刘战峰王玮冰更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇面阵
  • 2篇焦平面
  • 2篇焦平面阵列
  • 2篇红外
  • 2篇红外焦平面
  • 2篇红外焦平面阵...
  • 1篇湿法腐蚀
  • 1篇红外成像
  • 1篇二极管
  • 1篇非制冷
  • 1篇非制冷红外
  • 1篇非制冷红外焦...
  • 1篇非制冷红外焦...
  • 1篇高抗
  • 1篇PECVD
  • 1篇SOI
  • 1篇STRUCT...
  • 1篇CMOS
  • 1篇CMOS工艺
  • 1篇CMOS工艺...

机构

  • 3篇中国科学院微...

作者

  • 3篇陈大鹏
  • 2篇王玮冰
  • 2篇明安杰
  • 1篇欧文
  • 1篇焦斌斌
  • 1篇何伟
  • 1篇刘战峰
  • 1篇刘瑞文
  • 1篇刘占峰
  • 1篇欧毅
  • 1篇欧文

传媒

  • 1篇红外与激光工...
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2011
  • 3篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
CMOS工艺兼容红外焦平面阵列的设计及制作
研究了一种与CMOS工艺兼容的红外焦平面阵列,在SOI的顶层硅制作横向PN结敏感单元,多晶硅作为微像素支撑桥,氧化层和非晶硅填充的深槽作为XeF2释放阻挡结构。首先,对基于PN结温阻效应的器件的基本工作原理进行了分析探索...
明安杰陈大鹏欧文王玮冰何伟刘占峰
关键词：FPACMOSSOI
文献传递
A Novel Infrared Sensor Structure Compatible to Standard CMOS Process
This paper presents a new type of un-cooled thermal infrared sensor,which is compatible to standard CMOS proce...
Yundong Wu
用PECVD制备高抗腐蚀性能SiN_x薄膜的工艺研究被引量：3
2010年
研究了一种可抗高温强碱溶液腐蚀的氮化硅薄膜的等离子增强化学气相淀积(PECVD)生长工艺。通过X射线光电子能谱(XPS)、椭圆偏振仪、湿法腐蚀等手段分析了所生长薄膜的元素含量、折射率、抗腐蚀特性等性质随淀积工艺条件的改变所产生的变化。制备出的氮化硅薄膜可在高温强碱溶液(70℃、33.3%KOH溶液)中支撑12h而无明显变化,并实现自支撑全镂空薄膜。
刘瑞文焦斌斌欧毅陈大鹏
关键词：湿法腐蚀
二极管原理非制冷红外焦平面阵列的集成设计被引量：7
2011年
面向非制冷红外成像的低成本高性能应用,二极管原理的红外焦平面阵列的设计和工艺实现得到研究和发展。焦平面和读出电路的设计集成以及CMOS和MEMS工艺集成是此项技术的研究重点。基于SOI的二极管原理焦平面阵列在低成本的利用CMOS工艺实现大规模阵列集成方面有很大的优势。读出电路是基于标准CMOS工艺进行设计的。320×240规模的焦平面阵列利用CMOS标准工艺和MEMS工艺集成已经得到了结构实验结果。研究并测得二极管像元的正向压降的温度变化率约为-1.5 mV/K。分析和实验证明了二极管原理非制冷红外焦平面阵列的设计和工艺可行性,是一项可以低成本广泛应用的红外成像技术。
王玮冰陈大鹏明安杰欧文刘战峰
关键词：焦平面阵列红外成像非制冷二极管
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