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基于粒矩阵的多变量真值表快速约简算法被引量：8: 2013年; 真值表化简可简化数字逻辑电路的分析与设计.在人工智能理论中,命题逻辑值的判定和复合命题的等值关系判定也需要用到真值表及其化简.文中将真值表定义为逻辑信息系统,用粒矩阵由粗到细描述不同粒度空间下的知识,将真值表化简转化为通过粒矩阵运算实现的逻辑信息系统属性与属性值的约简,从而提出多变量真值表快速约简算法.并将算法应用到发光二极管七段数字显示器的设计中,实验分析表明文中算法的快速性和有效性.; 陈泽华曹长青谢刚; 关键词：粒矩阵粒计算

自分散SiNWs粉体的制备及形貌表征: 2015年; 以Si粉和Ni(NO3)2·6H2O为原料,制备具有包覆结构的Si-Ni粉体,后经共晶生长析出具有自分散特征的硅纳米线(silicon nano wires,SiNWs)粉体。该粉体的成功制备有效解决了传统SiNWs易于缠绕和团聚的难题,使得SiNWs复合功能材料的制备成为可能。研究结果表明,SiNi摩尔比和Si粒径对镍包硅结构粉体、SiNWs的数量等生长动力学过程有重要的影响。采用粒径为74μm的Si粉获得的SiNWs呈线状,且当共晶反应温度为950℃,保温时间为120min,n(Si)∶n(Ni)=2∶1,获得的SiNWs分布均匀,占总体积的80%。若采用球磨法将Si粉的粒径细化至100nm,则可获得以Si核为中心呈径向不断生长的SiNWs粉体,单根直径约150 nm,长度约1.5μm,具有很好的自分散性。; 张霞陈少平樊文浩王彦坤孟庆森; 关键词：共晶

硅纳米线复合Mg_2Si基热电材料的制备与性能研究被引量：1: 2016年; 利用溶液法混合粉体并通过电场激活压力辅助烧结(FAPAS)方法制备了不同硅纳米线含量的Mg_2Si基复合热电材料,研究了硅纳米线的掺入及含量对基体材料热电性能的影响。结果表明:硅纳米线掺入后材料电导率大幅降低,塞贝克系数基本不变,热导率小幅降低。随着硅纳米线掺量增加,材料电导率降低,塞贝克系数稍有提高,热导率有升高趋势。硅纳米线掺量为0.1at%的样品在800 K时ZT值达到最高值0.5。; 杜子良陈少平王彦坤樊文浩孟庆森杨江锋崔教林; 关键词：热电性能 SI MG2SI

微波低温制备Mg2Si0．4Sn0．6-yBiy热电材料的传输机理: 2015年; 德拜弛豫理论表明,在频率为2.45 GHz的外加交变电磁场的作用下,微波对极性分子的极化过程约为10^(-10)s,因此利用微波固相反应可以在短时低温条件下制备出纳米粉体材料.本文以MgH_2代替Mg粉,利用微波固相反应在低温下制备了Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6-y)Bi_y(0≤y≤0.03)固溶体,并结合单带抛物线计算模型对其热电传输机理进行了分析.研究结果表明:利用该工艺可以有效抑制Mg的挥发和MgO的生成,在400?C保温15 min即可完成MgH_2与Si粉和Sn粉的固相反应,获得片层间距为100 nm的超细化学计量比产物;杂质Bi的引入可以有效增加载流子浓度,并引起晶格畸变,在晶格畸变和样品特有的纳米片层结构的协同作用下,声子得到有效散射,样品具有最低的热导率1.36 W·m^(-1)·K^(-1).较低的有效掺杂率和复杂的能带结构具有降低能带态密度有效质量和减小载流子弛豫时间的双刃效应,使得本征激发提前,在600 K样品取得最大ZT值为0.66.; 张华陈少平龙洋樊文浩王文先孟庆森; 关键词：微波

微波辅助MgH_2固相反应法制备Mg_2Si_(1-x)Sn_x基热电材料及性能: 2016年; 在微波作用下利用MgH2、纳米Si粉、Sn粉和Bi粉进行固相反应,结合电场激活压力辅助合成法（FAPAS）制备了高纯Bi掺杂的Mg2Si（1-x）Snx（0.4≤x≤0.6）基固溶体热电材料,并对其微观结构和热电性能进行了表征。结果表明,MgH2替代传统原料Mg粉显著降低了固相反应温度且防止了Mg的挥发和氧化,同时微波快速低温加热有效抑制晶粒长大,可获得平均晶粒尺寸为200 nm的高纯产物。在300-750 K的温度区间对样品热电性能进行测试。结果表明,细小的片层固溶体组织和Bi的掺杂有效降低了样品热导率,同时改善了其电性能,在600 K时,含1.5%Bi（原子分数）的Mg2Si（0.4/0Sn（0.6）热电材料具有最大ZT值0.91。; 王彦坤陈少平樊文浩张华孟庆森杨江峰崔教林; 关键词：热电材料

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山西省回国留学人员科研经费资助项目(2012-031)