国家高技术研究发展计划(2002AA311010)
- 作品数：4 被引量：33H指数：3
- 相关作者：周海邓佩珍徐军朱人元周永宗更多>>
- 相关机构：中国科学院上海光学精密机械研究所盐城工学院加州理工学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划江苏省教育厅自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程理学更多>>
- 蓝宝石晶片纳米级超光滑表面加工技术研究被引量：14
- 2005年
- 本文提出以蓝宝石塑性磨削和化学机械抛光为主要手段,以原子力显微镜为主要检测工具,来制备满足光电子领域要求的纳米级超光滑蓝宝石晶片的新方法。在高刚性磨床上,用W 7的金刚石砂轮以f=1μm/r进给量,实现了蓝宝石晶片的浅损伤塑性域磨削。配制了以S iO2溶胶为抛光料的蓝宝石晶片专用抛光液,稳定地获得了无损伤层的RMS小于0.2 nm的超光滑蓝宝石晶片表面。GaN外延生长所需蓝宝石晶片的合理抛光参数是:S iO2的粒子直径为7 nm、浓度为3%、pH=11、压力P=200Pa。
- 周海姚绍峰
- 关键词：蓝宝石超光滑表面抛光
- Yb∶Ca_5(PO_4)_3F激光晶体的生长缺陷被引量：1
- 2005年
- 采用提拉法生长了质量优异的Yb∶Ca5(PO4)3F(Yb∶FAP)晶体。运用化学腐蚀,光学显微镜、扫描电子显微镜以及能量散射光谱仪观察了该晶体中的生长条纹和包裹物等宏观缺陷,以及晶体的位错腐蚀形貌、位错密度及其分布情况,同时观察了晶体中亚晶界的形态。由晶体中位错的径向变化以及生长条纹可知:晶体在生长过程中为微凸界面生长。高温下CaF2的挥发造成了在晶体生长后期熔体中组分偏离化学计量比,出现组分过冷,形成包裹物,且位错密度显著增加。Yb∶FAP晶体的各向异性使得晶体在(10 10)面的位错蚀坑形状、大小以及深度不同,而(0001)面的位错蚀坑呈规则的六边形;这也是晶体中形成亚晶界结构的主要原因。讨论了减少晶体中缺陷的一些方法。
- 宋平新赵志伟徐晓东邓佩珍徐军
- 关键词：提拉法晶体生长晶体缺陷位错激光晶体
- 蓝宝石晶片表面净化技术研究
- 本文阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。
- 周海杭寅姚绍峰
- 关键词：蓝宝石晶片净化工艺清洗剂
- 文献传递
- 蓝宝石晶片表面净化技术研究被引量：4
- 2005年
- 阐述了在氮化镓生长中使用的蓝宝石晶片净化的重要性。论述了蓝宝石晶片的净化原理。通过净化试验研究,提出了适合于工业化生产的蓝宝石晶片清洗剂和净化工艺,满足了光电子领域所需的开盒即用的蓝宝石晶片表面质量要求。
- 周海杭寅姚绍峰
- 关键词：蓝宝石晶片净化工艺清洗剂
- 温梯法蓝宝石(Al_2O_3)晶体的脱碳去色退火研究被引量：14
- 2005年
- 温度梯度法(TGT)生长的Al2O3晶体因石墨发热体在高温时的挥发和原料中过渡性金属离子的存在,晶体在不同部位呈现不同颜色,一般上部为浅红色,尾部为浅黄绿色.将TGT法生长的Al2O3晶体(φ110×80mm3)依次经过高温氧化气氛、高温还原气氛脱碳、去色退火实验,即“两步法”退火实验,晶体变成无色、透明.经测试,Al2O3晶体的完整性、光学透过率和光学均匀性均有显著提高.
- 徐军周国清邓佩珍司继良钱小波周永宗王银珍周圣明朱人元
- 关键词：脱碳退火
