国家高技术研究发展计划(2002AA311060)
- 作品数：6 被引量：51H指数：5
- 相关作者：顾书林叶建东郑有炓张荣施毅更多>>
- 相关机构：南京大学桂林矿产地质研究院中国科学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 低压MOCVD生长ZnO单晶薄膜的制备与性质被引量：6
- 2002年
- 利用 LP-MOCVD生长技术 ,采用 Zn(C2 H5) 2 作 Zn源和 CO2 作氧源 ,在 (0 0 0 2 )蓝宝石衬底上获得了沿 c轴取向高度一致的 Zn O单晶薄膜。通过对其吸收谱的曲线拟合 ,得到室温下 Zn O薄膜的光学带隙为 3 .2 45e V。在样品的室温光荧光谱 (PL)中观察到对应于带边发射的较强的发光峰 。
- 叶建东顾书林朱顺明胡立群陈童秦峰张荣施毅沈波江若琏郑有炓
- 关键词：氧化锌X射线衍射光致发光
- 水热法ZnO晶体特征研究被引量：19
- 2005年
- ZnO具有优良的综合性能使其成为极有前途的下一代光电材料,水热法是一种重要的生长ZnO晶体的方法。本文对水热法生长的面积约150mm2的ZnO晶体进行了报道,研究了晶体不同方向的生长速度、形貌特征和光学性能。X射线摇摆曲线表明晶体的质量较好。对于光学性质的分析表明晶体生长时加入H2O2能显著提高晶体的质量。494nm附近的发光带可能与氧空位有关。520nm的发光可能与Na或者S i所形成的杂质能级跃迁有关。
- 宋词杭寅张昌龙徐军顾书林夏长泰周卫宁仲维卓
- 关键词：ZNO晶体光致发光晶体生长半导体
- MOCVD生长中载气H_2对N掺杂ZnO性质的影响被引量：7
- 2008年
- 采用MOCVD方法在石英衬底上生长ZnO。实验使用二乙基锌(DEZn)为锌源,N2O作为氧和氮源,H2作为载气。采用PL和Raman光谱方法对ZnO样品进行表征,结果表明H2的加入大幅度减少薄膜中碳的掺入,明显改善了薄膜的光学质量。采用N2O离化技术,可以进一步提高其带边峰的强度,抑制带内发光。XRD测量表明,生长的ZnO薄膜具有c轴择优取向。目前生长高质量N掺杂的p型ZnO薄膜是很困难的,而H2作为载气的加入明显改善了ZnO薄膜的光学性质,在生长过程中加入H2将为获得高质量N掺杂的p型ZnO薄膜提供一种途径。
- 刘雪冬顾书林李峰朱顺明刘伟叶建东单正平刘少波汤琨朱光耀张荣郑有炓
- 关键词：氧化锌载气离化
- Ga掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长及其特性被引量：7
- 2005年
- 利用低压MOCVD技术在(0002)蓝宝石上外延获得高质量的ZnO∶Ga单晶薄膜,并研究了Ga的不同掺杂浓度对材料电学和光学特性的影响.当Ga/Zn气相摩尔比为3.2at%时,ZnO(0002)峰半高宽仅为0.26°,载流子浓度高达2.47×1019cm-3,透射率高于90%;当载流子浓度升高时,吸收边出现明显的Burstein-Moss蓝移效应.同时室温光致发光谱显示,紫外峰位随载流子浓度的增加而发生红移,峰形展宽,这和Ga高掺杂所引起的能带重整化效应有关.当Ga/Zn比达到6.3at%时,由于高掺杂浓度下Ga的自补偿效应导致载流子浓度下降.
- 朱顺明叶建东顾书林刘松民郑有炓张荣施毅
- 关键词：氧化锌掺杂
- ZnO纳米岛的MOCVD自组装生长被引量：8
- 2004年
- 利用低压金属有机源气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上生长 Zn O纳米岛 ,发现在适当的生长条件下 ,可以生长出规则排列的纳米岛 .实验发现随着生长时间的增加 ,在蓝宝石衬底上沉积的 Zn O晶体颗粒无论是密度还是体积都在增加 ,并出现颗粒之间的交叠现象 .与厚膜材料相比 ,相应的室温 PL 谱上显示出带边蓝移现象 ,随着生长温度的提高将大大增加 Zn O在蓝宝石衬底上成核的困难 .另外 ,所有样品的室温 PL 谱在带边附近均存在一个展宽峰 ,这可能是由表面态或晶体缺陷造成的 .研究表明选择合适的生长时间与生长温度是利用MOCVD生长高质量 Zn
- 周昕顾书林叶建东顺明秦锋刘伟胡立群张荣施毅郑有炓
- 关键词：光致发光谱原子力显微镜PACC
- Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的低压MOCVD生长与性质被引量：4
- 2004年
- 利用低压金属有机物气相沉积 (L P- MOCVD)技术 ,采用两步生长法 ,在 (0 0 0 1 )蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的 Zn1 - x Mgx O合金单晶薄膜 .实验发现随着 Mg原子的增多 ,Zn Mg O的晶格常数逐渐减小 .X射线衍射谱中未出现除 (0 0 0 2 )峰之外的其他峰位 ,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量 .室温透射谱与光致发光谱显示 ,其吸收边或带边发光峰随 Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移 .该反常现象与 Zn Mg O薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关 .研究表明在 MOCVD生长 Zn Mg O合金薄膜过程中 ,必须优化与控制反应条件 。
- 刘伟顾书林叶建东朱顺明秦锋周昕刘松民胡立群张荣施毅郑有炓
- 关键词：X射线衍射透射谱光致发光谱PACC
- 水热法生长ZnO晶体的外形、缺陷及性能表征
- 宋词杭寅张昌龙杨锡林何明珠周卫宁周圣明顾书林
- 文献传递
