“上海－应用材料研究与发展”基金(0103)
- 作品数：8 被引量：25H指数：4
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- 硅衬底上射频无源低通滤波器的设计及版图实现
- 2003年
- 文章系统地研究了微波无源低通滤波器的设计原理及其设计方法。根据网络综合法,设计出了一个-3dB截止频率为1.2GHz的2阶低通无源滤波器,其器件参数C1、L1、C2分别为2.56pF、13.252nH和2.56pF。采用自行设计的算法,编制了相应的Matlab程序,计算出滤波器的版图结构参数。最后,用ADS软件对该滤波器进行了版图级的模拟验证。结果表明,该微波无源滤波器的散射参数曲线与理想元件所组成的滤波器的散射曲线相吻合,且性能好,能够满足实际应用的需要。
- 李小进石艳玲赖宗声朱自强
- 关键词：硅衬底ADS软件
- 低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现被引量：2
- 2003年
- 在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 50Ω和 1 2 0Ω两种特性阻抗的传输线 .由于腐蚀去除了信号线下方导致损耗的低阻硅衬底 ,使得传输线插入损耗、散射特性等得以改善 .实验中 ,使用矢量网络分析仪分别在微机械加工前后对传输线进行了 1GHz到 40GHz频段的参数测试 ,利用多线分析技术对测试结果进行了分析 .结果表明在微结构悬浮后共平面波导的损耗特性有了大幅度的降低 ,30GHz处插入损耗约为 7dB/cm ,较腐蚀前降低了 1 0dB/cm .
- 石艳玲忻佩胜邵丽游淑珍朱自强赖宗声
- 关键词：共平面波导插入损耗
- 硅基RF无源低通滤波器设计与实现被引量：4
- 2006年
- 无源滤波器具有功耗小、面积小,噪声小的特点,优于传统的有源滤波器,而研制高品质因子的电感和电容是研制片上无源滤波器的一个难点。文中讨论了影响电感Q值提高的因素,并将结构参数优化应用于无源滤波器的设计中。根据网络综合法设计出了一个三阶,-3dB截止频率为900MHz的低通无源滤波器,其器件参数C1,L1,C2分别为5.434pF13.252nH和5.434pF,采用ADS软件对该滤波器进行了版图参数优化设计,依据优化设计结果制备了试验样品,经测试获得了较好的工作特性。
- 李小进石艳玲游淑珍赖宗声
- 关键词：无源低通滤波器射频结构参数ADS
- 高阻硅基铝硅合金弹性膜MEMS相移器被引量：3
- 2002年
- 级联式 MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化 ,来改变传输线的特性阻抗和相速 ,达到相移的目的 .文中讨论了 MEMS相移器特性对微机械电容和下拉电压的要求 ,并通过轻质量的铝硅合金弹性膜 ,获得了较低的下拉电压 .测试结果表明 ,相移器的下拉电压不大于 4 0 V,且当控制电压大于 10 V时 ,即有明显的相移 .该 MEMS相移器制备于电阻率大于 4 0 0 0 Ω· cm的高阻硅衬底上 ,获得了较好的传输特性 ,在整个测试频段 1～ 4 0 GHz,S2 1 均小于 3d B,并在 2 5 V时获得了大于 2 5°的相移量 .
- 石艳玲卿健忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：高阻硅
- 微波MEMS移相器的特性分析与实现被引量：4
- 2003年
- 从移相器的基本原理出发,分别介绍了开关线型、耦合器型和加载线型三种采用微机械加工技术制备而成的微波MEMS移相器的结构特点和工作原理。在此基础上,设计制备了CPW分布式加载线型MEMS移相器,并进行测试和分析,结果表明MEMS移相器较传统的移相器有微型化、低损耗、低成本、宽带等突出优点。
- 李炜石艳玲朱自强赖宗声
- 关键词：MEMS移相器微电子机械系统微波集成电路耦合器
- 基于多孔硅的共平面波导制备及传输特性研究被引量：1
- 2003年
- 多孔硅被认为是RF应用领域中较有潜力的衬底材料。文章利用多孔硅作衬底,制备了微型微波共平面波导,采用多线方法计算出该波导在多孔硅上的插入损耗和有效介电常数;提出了通过多孔硅的相对介电常数来确定多孔度的方法。实验测试结果表明,在20μm多孔硅上的波导,其插入损耗在1～30GHz范围内为1～40dB/cm;而在70μm多孔硅上制备的波导,其插入损耗在整个测试频段内不超过7dB/cm。通过有效介电常数的计算,推算出实验制备的70μm多孔硅材料的多孔度约为65%。
- 游淑珍石艳玲忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：多孔硅共平面波导传输特性阳极氧化插入损耗有效介电常数
- 低电压驱动的硅基Ka波段级联式MEMS移相器被引量：4
- 2003年
- 通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容 ,外加电压驱动改变电容值 ,可实现级联式MEMS移相器 .本文讨论了优化相移特性对共平面波导特性阻抗及下拉电压的要求 ,通过工艺参数优化制备了高阻硅基上的Ka波段级联式MEMS移相器 ,测试结果表明制备器件具有较低的驱动电压 ,8V时即产生明显的相移量 ,在 36GHz处 15V驱动电压时相移量为 118°,2 5V时为 2 86°.对微结构弹性膜的机械振动寿命测试表明 ,13级级联的MEMS移相器所有弹性膜同步振动的寿命为 3× 10 6次 .为器件的实用化提供了重要保障 .
- 石艳玲卿健李炜忻佩胜朱自强赖宗声
- 关键词：高阻硅驱动电压共平面波导
- 硅基RF平面螺旋电感的圈数对品质因子的影响被引量：7
- 2003年
- 从硅衬底RF集成电路中平面螺旋电感的品质因子Q的表达式出发 ,采用ADS软件模拟计算了平面螺旋集成电感L值与品质因子Q值 .通过两组电感Q值的对比 ,发现品质因子Q随着电感圈数的增加而减小 .以电感值为 3 2 8nH的设计为例 ,将电感圈数从 2增加到 6 ,计算得到的品质因子Q从 4 3(@1 1GHz)降低到 2 7(@1 4GHz) ,模拟计算结果与理论分析相吻合 .
- 李小进石艳玲赖宗声朱自强
- 关键词：平面螺旋电感品质因子
