北京市自然科学基金(2992002)
- 作品数：5 被引量：99H指数：4
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- 相关机构：北京工业大学中国原子能科学研究院北京理工大学更多>>
- 发文基金：北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划北京市科技新星计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信金属学及工艺核科学技术更多>>
- BN薄膜的高温诱导取向生长
- 本文利用感应耦合式等离子体化学气相沉积(PECVD)在Si(100)衬底上制备BN薄膜.反应气体为硼烷(BH)和氮气(N),控制一定的分压比和工作气压,射频功率为100W,衬底温度在500℃到1000℃之间变化.主要研究...
- 王玫张德学黄安平王如志李健超王波严辉
- 关键词：氮化硼
- 文献传递
- 用SiC薄膜作防氚渗透阻挡层的研究被引量：17
- 2002年
- 采用分步偏压辅助射频溅射法在 316L不锈钢表面制备SiC薄膜 ,作为聚变堆第一壁及包层结构材料的氚渗透阻挡层。扫描电镜观察表明 ,制备的膜致密、均匀 ,且与基体结合牢固。X射线衍射分析表明 ,膜具有(111)面择优取向的 β SiC微晶结构。傅里叶变换红外光谱分析发现 ,对应于 β SiC的Si C键存在伸缩振动吸收峰。采用中间复合过渡层技术 ,可以提高SiC膜与不锈钢基体的结合强度。测量了 5 0 0℃时带有SiC膜的 316L不锈钢的氚渗透率 ,与表面镀钯膜的 316L相比 ,氚渗透率减低因子 (PRF)值达到 10 4 以上。溅射时衬底偏压和射频功率要影响膜的结构 ,从而影响PRF值。根据分析结果 ,从不同的膜制备工艺中初步筛选出了合适工艺。
- 姚振宇严辉谭利文韩华
- 关键词：SIC薄膜射频溅射聚变堆
- 纳米碳化硅（SiC）薄膜结构与溅射参数的关系
- 本实验采用射频磁控溅射方法,在高阻单晶Si（100）衬底上制备出了纳米SiC薄膜。采用高分辨原子力显微镜（AFM）,观察到在合适条件下沉积的SiC薄膜是由纳米尺寸的SiC晶粒构成,这与红外光谱（FTIR）的结果相吻合。改...
- 王玫黄安平张德学宋雪梅王波严辉廖波
- 关键词：纳米SIC薄膜FTIRAFM
- 文献传递
- 新型化学汽相沉积技术Cat-CVD的发展趋势
- Catalytic CVD(简称Cat-CVD)是一种不同于传统化学汽相沉积(CVD)技术的薄膜制备方法,由于具有简便低廉的特点,逐步受到人们重视.此项技术在Si系材料的制备方面已有较大进展,更表现出与其它技术结合的发展...
- 严辉王波汪浩宋雪梅王玫李建超赵谦
- 关键词：CAT-CVDSIC薄膜
- 文献传递
- SiC薄膜生长过程中的偏压作用被引量：2
- 2002年
- 采用分步偏压溅射法，在Ｓｉ（１００）衬底上制备了高质量的ＳｉＣ薄膜．傅里叶红外（ＦＴＩＲ）光谱测试表明，分步偏压法不仅有利于提高ＳｉＣ薄膜的生长速率，同时也有利于ＳｉＣ薄膜的成核生长．通过原子力显微镜（ＡＦＭ）观察到，单一偏压法制备的样品表面有许多的凹坑，而分步偏压法制备的样品表面则没有出现明显的凹坑．因此，采用分步偏压溅射法不仅可以提高薄膜的生长速率，同时也可以减小对薄膜的离子刻蚀作用，改善薄膜的质量．
- 王玫谭利文王波邹云娟严辉姚振宇
- 关键词：SIC碳化硅薄膜生长
- 绿色高性能无铅钎料的研究与发展被引量：70
- 2002年
- 铅和铅的化合物破坏环境 ,有害人体健康。国际上无铅的呼声日益高涨 ,美国、欧洲、日本等发达国家纷纷立法。电子产品无铅化的安排已经提到议事日程。各大公司纷纷展开无铅钎料的研究 ,并相继试验推出无铅产品。电子组装无铅化是一个系统工程 ,需要各个环节和全社会的配合。中国在激烈的国际竞争中要赢得市场 ,必须拥有自主知识产权的无铅钎料及产品 ,这需要全社会特别是相关企业的重视和全力配合。
- 夏志东雷永平史耀武
- 关键词：高性能无铅钎料电子产品
- 等离子体状态对PECVDSiC薄膜微结构的影响被引量：4
- 2004年
- 在PECVD法制备SiC薄膜过程中,深入研究了工作气压及工作气体中氢稀释比例对薄膜的影响,发现以上两个参数是通过共同调整等离子体状态的两个主要参数———等离子体成分及离子能量来起作用的。在此基础上,讨论了等离子体状态在SiC薄膜微结构从非晶转化为纳米晶过程中的作用,发现可以通过控制等离子体成分及离子能量来得到可用于场发射阴极的纳米晶SiC薄膜。
- 王静静廖波刘维王波宋雪梅严辉
- 关键词：工作气压PECVD离子能量微结构SIC薄膜
- 溅射气压和沉积时间对c-BN薄膜结构的影响被引量：6
- 2002年
- 采用磁控反应溅射方法，在Ｓｉ（１００）衬底上沉积ｃＢＮ薄膜，研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响。结果表明，随溅射气压的升高或沉积时间的增加，都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果，并导致薄膜中ｃＢＮ相含量的减小。
- 王波王玫张德学黄安平宋雪梅邹云娟严辉
- 关键词：立方氮化硼红外光谱溅射气压
