国家重点基础研究发展计划(2009CB320206)
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
- 相关作者：斛彦生刘桢张志国银军吴阿慧更多>>
- 相关机构：中国电子科技集团第十三研究所专用集成电路与系统国家重点实验室上海交通大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金更多>>
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- 一种非均匀采样重构芯片热信号的方法
- 2011年
- 实时片上热信号是集成电路芯片动态热管理(DTM)的重要信息。提出了一种基于Voronoi图的非均匀采样重构芯片热信号的方法,该方法在16核的处理器上每核9个传感器的情况下给出了最小2.25%的平均误差,并且通过与距离倒数加权平均法的平均运行时间的对比验证了该种方法的优越性。
- 柯然刘涛戎蒙恬李鑫
- 关键词：非均匀采样VORONOI图
- 基于场路等效的三维封装热模型与热分析
- 本文提出了一种快速且准确的芯片温度(结温T)的估计方法。应用电、热场的相似性,对典型的封装结构进行热路建模,提取等效热阻网络并简化。最后,求解简化的结果就可得到结温的计算公式。公式表明结温与环境温度呈线性关系,且受对流条...
- 童家岭邵妍李晓春毛军发
- 关键词：封装结温
- 文献传递
- 碳纳米管束天线性能分析
- 基于单壁碳纳米管束的等效单导体模型,提出了一种分析碳纳米管束天线简洁快速的方法。首先将碳纳米管束的多导体传输线模型等效为一个单导体模型,由此给出差模激励下两平行碳纳米管束的等效电路,进而研究天线的性能。为了使计算的电流更...
- 黎想黄一毛军发
- 文献传递
- 基于传输线网络的ESD脉冲下的互连瞬态热分析方法
- 本文通过建立传输线网络模型来分析互连线的温度瞬态响应。文章首先根据互连系统的结构建立了相应的传输线网络模型,然后写出了其精确的输入阻抗表达式,并利用矩量匹配的方法进行了阶数缩减,进而给出了静电放电（ESD）脉冲作用下互连...
- 邵妍李晓春毛军发
- 关键词：互连
- 文献传递
- S波段大功率、高效率GaN HEMT器件研究被引量：6
- 2013年
- 基于国产的SiC衬底GaN外延材料,研制出大栅宽GaN HEMT单胞管芯。通过使用源牵引和负载牵引技术仿真出所设计模型器件的输入输出阻抗,推导出本器件所用管芯的输入输出阻抗。使用多节λ/4阻抗变换线设计了宽带Wilkinson功率分配/合成器,对原理图进行仿真,优化匹配网络的S参数,对生成版图进行电磁场仿真,通过LC T型网络提升管芯输入输出阻抗。采用内匹配技术,成功研制出铜-钼-铜结构热沉封装的四胞内匹配GaN HEMT。在频率为2.7～3.5 GHz、脉宽为3 ms、占空比为50%、栅源电压Vgs为-3 V和漏源电压Vds为28 V下测试器件,得到最大输出功率Pout大于100 W(50 dBm),PAE大于47%,功率增益大于13 dB。
- 刘桢吴洪江斛彦生吴阿慧银军张志国
- 关键词：内匹配功率合成大功率
- 基于牛顿-拉夫逊迭代法的电热耦合分析
- 随着CMOS工艺的发展,芯片设计中功耗和热问题成为影响芯片性能和可靠性的重要因素,准确估计芯片热场的重要性与日俱增。本文讨论了MOSFET电路功耗与温度相互耦合的特性,并进一步提出了一种基于牛顿-拉夫逊迭代法的电热耦合分...
- 尚卿李晓春毛军发
- 关键词：功耗电热耦合
- 文献传递
