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国家自然科学基金(10674023)

作品数:6 被引量:11H指数:2
相关作者:王马华朱光平徐春祥张杰季仁东更多>>
相关机构:淮阴工学院东南大学淮北师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划更多>>
相关领域:理学电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇会议论文
  • 6篇期刊文章

领域

  • 8篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 7篇ZNO
  • 3篇氧化锌
  • 3篇纳米
  • 3篇发光
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇ZINC_O...
  • 2篇ZNO纳米
  • 1篇单光子
  • 1篇导电性
  • 1篇导电性能
  • 1篇氧化锌晶体
  • 1篇图像
  • 1篇微腔
  • 1篇温度
  • 1篇锰掺杂
  • 1篇纳米线
  • 1篇纳米氧化锌
  • 1篇截面

机构

  • 5篇东南大学
  • 3篇淮阴工学院
  • 2篇淮北师范大学
  • 1篇南洋理工大学
  • 1篇淮阴师范学院
  • 1篇淮北煤炭师范...

作者

  • 4篇徐春祥
  • 3篇朱光平
  • 3篇王马华
  • 1篇陈华宝
  • 1篇居勇峰
  • 1篇付丽辉
  • 1篇季仁东
  • 1篇张杰

传媒

  • 5篇第六届国际氧...
  • 2篇Chines...
  • 1篇光子学报
  • 1篇发光学报
  • 1篇人工晶体学报
  • 1篇电子器件
  • 1篇第七届中国功...

年份

  • 1篇2016
  • 9篇2010
  • 3篇2009
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
锰掺杂纳米氧化锌的发光特性被引量:6
2010年
应用气相传输法,以铜为催化剂,在硅衬底上制备了锰掺杂氧化锌四足纳米晶须。利用X射线与电子衍射谱、扫瞄电镜和高分辨率透射电镜对样品形貌、结构和成份进行表征与检测。通过355 nm与375 nm紫外光激发下掺杂与未掺杂样品光致发光谱的对比,结合拉曼散射谱与光致激发谱,对掺杂样品中光致发光机理进行分析。结果表明,样品由沿[0001]方向生长、前端和内部长有纤细刺状结构的中空六方管组成;样品中掺入的Mn^(2+)的无辐射复合中心作用,是掺杂样品紫外辐射强度和谱宽变小的主要原因,而氧化锌晶体晶格周期对Mn^(2+)中d-d电子跃迁过程的影响,则是375 nm紫外光激发下掺杂样品中产生415 nm辐射峰的主要原因。
王马华朱光平徐春祥
关键词:光致发光锰掺杂D-D跃迁
Whispering-gallery lasing from ZnO microcavities
The whispering gallery mode (WGM) ZnO microcavities were synthesised by vapour transport method. The microphot...
C.X.XuJ.DaiZ.L.Shi
Dielectrophoretic assembly of ZnO nanowires
2009年
The synthesis of zinc oxide (ZnO) nanowires is achieved by vapor phase transportation (VPT) method. The designed quartz tube, whose both ends are narrow and the middle is wider, is used to control the growth of ZnO nanowires. Dielectrophoresis (DEP) method is employed to align and manipulate ZnO nanowires which are ultrasonic dispersed and suspended in ethanol solution. Under the dielectrophoretic force, the nanowires are trapped on the pre-patterned electrodes, and further aligned along the electric field and bridge the electrode gap. The dependence of the alignment yield on the applied voltage and frequency is investigated.
赵茂聪胡国华周昊郑科朱光平崔一平徐春祥
关键词:ELECTROPHORESISETHANOLNANOWIRESQUARTZ
Patterned growth of ZnO nanofibers
2009年
A simple method is adopted to grow ZnO nanofibers laterally among the patterned seeds designed in advance on silicon substrate. The preparation of seed lattices is carried out by lithographing the metal zinc film evaporated on the substrate. A layer of aluminum is covered on the zinc layer to prevent the ZnO nanorods vertically growing on the top surface. After oxidation, the patterned ZnO/Al2O3 spots are formed at the sites for the horizontal growth of ZnO nanofibers by the vapor phase transportation (VPT) method using the zinc powders as source material.
郑科徐春祥周昊赵茂聪朱光平崔一平李新松
关键词:ALUMINANANOFIBERSZINC
ZnO纳米碟的发光与Raman光谱图像
基于独特的光电特性,ZnO 材料与器件的研究成了近年来的热点课题之一,其中,p- 型掺杂技术则是进一步研发紫外光发光二极管与激光二极管的关键性瓶颈问题,目前,人们已作了许多努力并取得了不少进展。深入理解 ZnO 中缺陷的...
徐春祥朱光平J.Kasim李欣陈瑞添杨仪申泽骧孙小卫
文献传递
Structure Evolution of Zn Cluster on Graphene for ZnO Nanostructure Growth
Zn atoms as self-catalysis are widely used for ZnO nanostructure growth. In this paper, suspended graphene ser...
J.Y.GuoC.X.XuJ.DaiZ.H.Li
Transparent thin film transistor with ZnO channel layer fabricated by sol-gel method
Transparent thin film transistors (TFT) with bottom-gate structure are fabricated using ZnO as an active chann...
H.S.CuiC.X.XuZ.L.ShiR.Ding
温度对气相传输法制备氧化锌晶体生长机制影响研究被引量:1
2016年
为提高气相传输法制备微纳结构样品形貌的可控性,进行了生长温度调控下氧化锌晶体生长机制及其变化的实验研究。实验中的样品制备,以高纯度锌粉末为原料,在无模板、无催化条件下,通过加热蒸发-氧化冷却-生长晶体过程实现。其中,蒸发温度固定于750℃,反应区气体氛围保持稳定,生长区温度在450-600℃变化,制备出不同生长温度下样品。对所制备出诸样品,应用扫描电子显微镜、X-射线衍射仪和透射电子显微镜等方法,进行形貌与结构表征。基于表征结果,观察、分析、研究生长温度变化的影响,结合理论分析,得出了生长温度通过对生长过程中锌蒸汽过饱和度的影响,决定着不同生长机制,从而有着不同的形貌结构的样品。
王马华朱光平付丽辉居勇峰张杰季仁东
关键词:氧化锌过饱和度
单根六方截面ZnO纳米针制备与发光特性被引量:5
2010年
利用气相传输法,以高纯度氧化锌和碳粉为原料,通过高温碳热还原法制备出可分离单根针状ZnO纳米晶体。用XRD、SEM和PL等手段对其进行了表征。结果表明:样品系沿c轴方向生长、具有六方截面自组装ZnO纳米针(线)晶体。除具有一般线状ZnO纳米晶体相似的紫外光激励的PL谱外,在800nm飞秒激光脉冲激励下,从该样品可观测到上转换紫外受激辐射。
王马华朱光平徐春祥
关键词:氧化锌光致发光
ZnO-based transparent thin film transistors fabricated by magnetron sputtering deposition
Transparent thin film transistors (TFT) were made by growing ZnO on SiO2/Si3N4/SiO2/glass substrates using mag...
Z.L.ShiC.X.Xu
共2页<12>
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