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国家科技重大专项(2011ZX02403-001)

作品数:1 被引量:0H指数:0
相关作者:刘文耀朱爱民高飞赵天亮王友年更多>>
相关机构:大连理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家科技重大专项更多>>
相关领域:理学更多>>

文献类型

  • 4篇会议论文
  • 1篇期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇射频
  • 1篇等离子体
  • 1篇等离子体鞘层
  • 1篇低气压
  • 1篇射频放电
  • 1篇数值模拟
  • 1篇数值模拟研究
  • 1篇鞘层
  • 1篇物理问题
  • 1篇流体模型
  • 1篇脉冲
  • 1篇脉冲调制
  • 1篇介质
  • 1篇介质阻挡
  • 1篇回滞
  • 1篇光谱
  • 1篇光谱诊断
  • 1篇发射光谱
  • 1篇发射光谱诊断
  • 1篇放电

机构

  • 5篇大连理工大学
  • 1篇安特卫普大学

作者

  • 1篇李小松
  • 1篇刘永新
  • 1篇杜永权
  • 1篇徐勇
  • 1篇王友年
  • 1篇赵天亮
  • 1篇高飞
  • 1篇朱爱民
  • 1篇刘文耀
  • 1篇赵书霞

传媒

  • 3篇第十五届全国...
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2013
  • 4篇2011
1 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
脉冲调制射频大气压介质阻挡氦气放电数值模拟研究
<正>大气压射频辉光放电(radio frequency atmospheric pressure glowdischarge)是产生等离子体的有效方法,由于具有低成本、高生产效率等优点,近年受到越来越多的关注,并被广泛...
李雪春王欢丁振峰王友年
文献传递
射频感性耦合等离子体放电模式跳变及回滞的实验研究
<正>射频感性耦合等离子体源(ICP)具有低气压、高密度、均匀性好、装置简单以及性价比高等特点,在半导体制造和材料加工领域中得到广泛的应用。由于其自身的放电激发机理,ICP源存在两种放电模式即:感性模式(H)和容性模式(...
高飞赵书霞王友年
文献传递
低气压射频及甚高频容性耦合等离子体源的发展趋势及相关物理问题
<正>平行板式的低气压容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)由于设备结构简单,空间均匀性好等特点,已广泛地应用于材料表面处理工艺中,如半导体芯片刻蚀及薄膜沉积、薄膜硅太阳能电...
宋远红徐翔王友年
文献传递
CCP射频放电流体模型面向加工工艺的仿真应用
<正>容性耦合等离子体(CCP)射频放电广泛的应用于薄膜沉积、芯片刻蚀等半导体加工工艺中。随着半导体工业发展,对均匀性与刻蚀线宽都有着更高精度的要求。然而在实际生产线上,放电装置等设备结构很难变动调节,因此首先进行仿真数...
毕振华徐翔张钰如王友年
文献传递
双频容性耦合等离子体相分辨发射光谱诊断
2013年
采用相分辨发射光谱法,对双频容性耦合纯Ar和不同含O2量的Ar-O2混合气体放电等离子体的鞘层激发模式进行了探究.放电腔室耦合电源电极的鞘层区域处观察到两种电子激发模式:鞘层扩张引起的电子碰撞激发模式和二次电子引起的电子碰撞激发模式;并发现这两种激发模式均受到低频射频电源周期的调制.在纯Ar放电等离子体中,两种激发模式的激发轮廓相似;而在Ar-O2混合气放电等离子体中,随着含O2量的增加,二次电子的激发轮廓变弱.此外,利用相分辨发射光谱法对不同含O2量的Ar-O2混合气放电下Ar的750.4 nm谱线在低频周期内的平均光强随轴向分布进行了研究,得到了距耦合电源电极约3.8 mm处为双频容性耦合射频等离子体的鞘层边界.
杜永权刘文耀朱爱民李小松赵天亮刘永新高飞徐勇王友年
关键词:等离子体鞘层发射光谱
共1页<1>
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