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国家部委预研基金(51408010601DZ1032)

作品数：3 被引量：3H指数：1
相关作者：杨银堂屈汉章王平贾护军杨燕更多>>
相关机构：西安电子科技大学西安邮电学院更多>>
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相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信

主题

  • 2篇解析模型
  • 1篇单壁
  • 1篇单壁碳纳米管
  • 1篇电子输运
  • 1篇电子输运特性
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇直流特性
  • 1篇输运
  • 1篇输运特性
  • 1篇碳纳米管
  • 1篇透射
  • 1篇透射谱
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米管
  • 1篇界面态
  • 1篇界面态电荷
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇晶体管
  • 1篇非平衡格林函...

机构

  • 3篇西安电子科技...
  • 2篇西安邮电学院

作者

  • 3篇杨银堂
  • 2篇王平
  • 2篇屈汉章
  • 1篇杨燕
  • 1篇宋久旭
  • 1篇贾护军
  • 1篇刘红霞
  • 1篇张骥

传媒

  • 2篇西安电子科技...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2005
  • 1篇2004
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型被引量：2
2004年
采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大.
王平杨银堂屈汉章
n沟6H-SiC MOSFET直流特性和小信号参数解析模型被引量：1
2005年
基于对一维泊松方程的解析求解以及对表面势的迭代计算,建立了适于模拟n沟6H SiCMOSFET直流I V特性以及小信号参数的解析模型.模型采用薄层电荷近似,考虑了6H SiC中杂质不完全离化的特点以及界面态电荷对器件特性的影响,可用于所有的器件工作区.当漏偏压为0 05V、栅压为1 9V时,模拟得到的最大跨导值为54μS.模拟结果与实验数据有很好的一致性.该模型具有物理概念清晰且计算准确的优点,非常适于SiC器件以及电路研究使用.
王平杨银堂杨燕贾护军屈汉章
关键词：6H-SIC金属氧化物半导体场效应晶体管I-V特性解析模型界面态电荷
半导体型单壁碳纳米管的电子输运特性
2008年
采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数法(Non-equilibrium Green functions,NEGF),对耦合于两个面心立方间的Al(111)电极间的(8,0)碳纳米管(Carbon nanotube,CNT)传输特性进行了计算。结果表明,在小偏压下(-40～40 mV),碳纳米管伏安特性与孤立碳纳米管的接近为零不同,而是接近为线性,这是耦合导致碳纳米管能级移动的结果。
宋久旭杨银堂刘红霞张骥
关键词：单壁碳纳米管透射谱输运特性
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